Вероятность - рекомбинация
Cтраница 2
В результате вероятность рекомбинации возрастает на несколько порядков и общая концентрация ионов уменьшается. Поэтому при наличии в газе-носителе электроотрицательных примесей ток, протекающий через детектор, уменьшается. [16]
 |
Процессы, происходящие в электронно-захватном детекторе. [17] |
В результате вероятность рекомбинации возрастает па несколько порядков и общая концентрация ионов уменьшается. Поэтому при наличии в газе-носителе электроотрицательных примесей ток, протекающий через детектор, уменьшается. [18]
 |
Схема излучательных переходов.| Схема оптронной Спектральный состав рекомбйнацион. [19] |
Рбезызл - вероятности излучательной и безызлучатель-ной рекомбинации, отнесенные к единице времени. [20]
Точные расчеты вероятности рекомбинации в слабых магнитных полях показали, что даже в простейшем случае РП с одним магнитным ядром динамика синглет-триплетной эволюции РП в клетке имеет сложный характер, зависимость рекомбинации радикалов от поля может быть немонотонной из-за интерференции интеркомбинационных переходов по параллельным каналам и в результате сближения или даже пересечения различных термов РП. Из приведенных на рис. 1.10 и 1.11 результатов следует, что знак магнитного изотопного эффекта в слабых полях также должен зависеть от напряженности внешнего поля. [21]
Полевая зависимость вероятности рекомбинации в слабых полях для более сложных систем должна существенным образом зависеть от конкретной структуры РП, числа магнитных ядер, конкретных значений параметров сверхтонкого взаимодействия. Для РП с большим числом ядер расчеты значительно усложняются. Поэтому приходится обращаться к приближенным расчетам и оценкам. [22]
Таким образом, вероятность рекомбинации имеет зависимость нулевого порядка относительно концентрации атомов при малых и средних температурах. При больших температурах зависимость вероятности рекомбинации от концентрации атомов становится зависимостью первого порядка. [23]
В жидкой фазе вероятность рекомбинации таких парных радикалов в отсутствие акцепторов весьма велика, однако в реакции образования гликолей они, повидимому, участвуют. [24]
С увеличением напряжения вероятность рекомбинации уменьшается, а следовательно, возрастает сила ионизационного тока. [25]
В анизотропном случае вероятность рекомбинации в данном контакте зависит от предыдущих контактов, от всей предыстории РП. Рекомбинация геминальных и диффузионных пар протекает по-разному. Как и для случая изотропной реакционной способности, который был подробно обсужден в предыдущих пунктах, реакцию радикалов с анизотропными свойствами можно характеризовать вероятностью геминальной рекомбинации ргРо - рр и константой K, K. [26]
Таким образом, вероятность рекомбинации, определяющей длительность т0 свободного существования заряда, зависит от количества и характера дефектов. В достаточно чистом германии т достигает значений 1000 мксек. [27]
В идеальном кристалле вероятность рекомбинации мала вследствие того, что электроны и дырки беспрепятственно перемещаются в объеме кристалла. Наличие искажений в кристаллической структуре ( пустые узлы, атомы в междуузлиях, примеси) способствует рекомбинации. Как правило, рекомбинация происходит на дефектах структуры кристалла. [28]
 |
Зависимость избыточной концентрации электронов от времени. [29] |
Коэффициент Wn есть вероятность рекомбинации для одного носителя в единицу времени. Если Wn не зависит от времени, то уравнение (4.18) линейное. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5