Вероятность - возбуждение
Cтраница 2
Следовательно, вероятность возбуждения фононов с ростом температуры растет, а вероятность бесфононной мессбауэровской линии падает. [16]
Форма зависимости вероятности возбуждения ( функции возбуждения), от энергии электронов для различных переходов различна. Например, для атомов с двумя валентными электронами функция возбуждения при переходах из синглетного в синглетное состояние имеет широкий максимум, соответствующий энергиям электронов, значительно большим, чем минимальная энергия возбуждения. Для переходов же с изменением мультиплетности, например синглет - - триплет, функция возбуждения имеет резкий максимум при энергии, близкой к энергии возбуждения. Такой процесс может происходить, по-видимому, лишь в случае, если энергия ударяющего электрона близка к энергии возбуждения. Это и приводит к тому, что функция возбуждения при таком обменном механизме имеет острый максимум, лежащий вблизи критической энергии возбуждения. Функция возбуждения этого процесса имеет максимум при энергии электронов 7 эв. [17]
Представление о величине вероятности возбуждения атомов электронным ударом можно получить из данных табл. 22, в которой приведены значения сечения в максимуме функции возбуждения для ряда атомов, отнесенные к величине яа02, где а0 - радиус первой боровской орбиты атома водорода, равный 5 29 - 10 9 см. Во второй графе таблицы указан возбужденный уровень, в. [18]
По мере увеличения температуры вероятность возбуждения вращений молекул надает, и при температурах порядка 25 - 30 103 К вероятность вращательных переходов становится одного порядка с вероятностями возбуждения колебаний. Для возбуждения вращений необходимо лишь несколько столкновений. Для возбуждения колебаний при малых температурах нужно несколько тысяч и даже десятков тысяч столкновений. Наряду с обменом поступательной и колебательной энергией между молекулами иногда существенную роль играют так называемые резонансные переходы, при которых молекулы обмениваются между собой колебательными квантами, не изменяя суммарной поступательной энергии сталкивающихся молекул. Возможны случаи зацепления нескольких процессов, когда с близкой вероятностью происходят различные типы переходов. [19]
Впервые получены выражения для вероятностей возбуждения механически индуцированных колебаний кристаллических веществ посредством ударных воздействий в дезинтеграторе. Установленные соотношения для критических скоростей соударений позволяют связать скорость соударений с молекулярными характеристиками ( масса атомов и межатомные расстояния) кристаллов. На основании полученных результатов определены режимы механической обработки, приводящие к появлению в процессе удара дефектов - смещенных относительно узлов кристаллической решетки атомов. Получено выражение для критической частоты - характеристики, определяющей устойчивость кристаллической решетки к ударным воздействиям. Проведены расчеты для изоструктурных кристаллов алмаза, кремния, германия и ряда щелочно-галоидных кристаллов и установлена корреляция критических частот и скоростей соударений с энергетическими ( энергия связи, температура плавления) и механическими ( упругие константы, сжимаемость) характеристиками веществ. [20]
Во второй темной катодной области вероятность возбуждения мала, но не равна нулю. Поэтому она слабо излучает, но по контрасту с соседними более светлыми областями кажется темной. Электроны, образовавшиеся при ионизирующих соударениях, перемещаются вместе с первичными электронами в сторону анода, и концентрация их возрастает по мере удаления от катода. Суммарный пространственный заряд ent - ene уменьшается, и напряженность поля делается очень малой. [21]
Постоянная а может рассматриваться как вероятность возбуждения. Мы применили это выражение по той простой причине, что оно достаточно точно описывает наши собственные данные и все другие, какие мы сумели найти. Другими авторами были выведены более сложные выражения [13], где постоянные вычисляются путем последовательного приближения. И все же эти выражения часто не дают хорошего согласия с полученными данными. [22]
Величина 1 / тет определяет вероятность возбуждения экситона фотоном. Согласно (22.21), вероятность возбуждения фотонов в одномерной молекулярной цепочке в тысячи раз превышает вероятность возбуждения 1 / т0 свободной молекулы. [23]
Имеющийся экспериментальный материал показывает, что вероятность возбуждения равна нулю при всех потенциалах ниже данного критического потенциала. Начиная от потенциала возбуждения, эта функция быстро увеличивается, достигает максимума при потенциале, близком к потенциалу возбуждения, и затем вновь уменьшается. Примером могут служить кривые ( экспериментальные) ( рис. 93), относящиеся к возбуждению некоторых уровней ртути. [24]
Следовательно, при выполнении квазиклассического приближения максимальная вероятность возбуждения соответствует случаю, когда скорость частицы совпадает со скоростью движения электрона в атоме. [25]
Так как самопоглощение резонансных линий и вероятность дальнейшего возбуждения с резонансных или метастабильных уровней повышаются при высоких давлениях, наиболее эффективными являются ртутные лампы высокого давления, которые мы рассмотрим ниже. [26]
При низком напряжении холостого хода меньше вероятность случайного возбуждения дуги между электродом и металлической ванной, электрошлаковый процесс протекает стабильнее. Первоначальное же наведение шлаковой ванны дугой и при низком напряжении холостого хода сварочного трансформатора производится без каких-либо затруднений. [27]
Интегральная интенсивность полосы поглощения связана с вероятностью возбуждения, которая в свою очередь пропорциональна квадрату расстояния, разделяющего концы сопряженной системы. Поэтому более короткие цисоидные диеновые хромофоры имеют емакс 4000 - 15000, тогда как для трансоидных характерны значения ел акс 10000 - 30000; значительные пределы колебания значений емакс связаны с трудностью получения в чистом виде стероидов, содержащих неустойчивые диеновые группировки. [28]
В табл. 15 приведены некоторые данные, характеризующие вероятности возбуждения и передачи колебательного кванта при соударении одинаковых молекул, определенные по дисперсии ультразвука в газе при температуре 15 - 30 СС. [29]
 |
Схематическое изображение структуры энергетических зон твердых тел. [30] |
Страницы: 1 2 3 4