Вероятность - возбуждение
Cтраница 3
При наличии примесных уровней в запрещенной зоне вероятность возбуждения электронов возрастает. Если в полупроводник добавлены примеси, создающие примесные уровни вблизи зоны проводимости ( рис. 1 - 3, б) ( такие примеси называются донорными), то наиболее вероятным будет переброс электронов с примесных уровней в зону проводимости. При этом тело приобретает проводимость электронного типа. Примеси, создающие примесные уровни вблизи валентной зоны, называются акцепторными. [31]
В дополнение к сказанному о связи между вероятностью возбуждения электронным ударом и вероятностью оптического перехода укажем, что, согласно данным В. А. Фабриканта, Ф. А. Бутаевой и И. [32]
Энергетический множитель в ( 65) есть просто вероятность возбуждения с уровня А на уровень - В. [33]
Из-за отсутствия к настоящему времени данных по энергии и вероятности возбуждения, а также и по сечению захвата электронов для отдельных изотопических равновидностей молекул кинетические изотопные эффекты каждой из стадий 1 - 3 вычислены по уравнениям Бигеляйзена [28], выведенным из теории активного комплекса и соотношений статистической механики для термических реакций между нормальными ( невозбужден-пыми) атомами и молекулами. [34]
 |
Зависимость периода индук - [ IMAGE ] Зависимость периода индукции при окислении церезина при ции при окислении церезина при 160 С от концентрации ингибиторов. 200 С от концентрации ингибиторов. [35] |
Выше уже указывалось, что под влиянием парамагнитных частиц вероятность возбуждения соединений с системой сопряженных связей резко возрастает, что проявляется в повышении реакционной способности этих соединений. [36]
Совместно с Никольсо-ном [150] указанные выше авторы обсудили пороговый закон вероятности возбуждения при электронном ударе в отношении возможных продуктов диссоциации и измерения потенциалов появления. [37]
Уменьшение толщины подложки обеспечивает малые потери на излучение, снижение вероятности возбуждения поверхностных волн, а также уменьшение ширины проводника W при сохранении постоянного значения волнового сопротивления и уменьшение ширины зазоров между проводниками в абсолютных единицах длины. Эти факторы приводят к повышению степени интеграции интегральной схемы. [38]
Экспериментальное исследование показывает, что в большинстве случаев в условиях экспериментов вероятность возбуждения при отдельном столкновении очень мала. [39]
Аналогично, линия раздела для дырок проходит там, где одинаковы вероятности возбуждения в валентную зону и захвата свободного электрона. Дискретные уровни, располагающиеся между этими двумя линиями, определяют скорость рекомбинации. Дискретные уровни, располагающиеся за этими линиями, имеют конечное, но очень малое влияние на скорость рекомбинации. Статистически их вклад в рекомбинацию уменьшается пропорционально e - EihT, где Е - энергетическое расстояние от соответствующего уровня до линии раздела. [40]
Поэтому для получения измеримого резонансного поглощения нужно с помощью охлаждения уменьшить вероятность возбуждения колебаний решетки. [41]
Несмотря на это, поверхностная анизотропия может оказывать большое влияние на вероятность возбуждения спиновых волн в СВЧ диапазоне. [42]
Герцфельд и Мария Гепперт-Майер [41] пользовались таким же методом для расчета вероятности возбуждения внутренних степеней свободы молекулы вследствие теплового движения твердого тела, на котором она адсорбирована. [43]
Герцфельд и Мария Гепперт-Майер [ ] пользовались таким же методом для расчета вероятности возбуждения внутренних степеней свободы молекулы вследствие теплового движения твердого тела, на котором она адсорбирована. [44]
Поэтому при тепловом движении системы, в которой имеются сложные молекулы, вероятность безызлучательного возбуждения и дезактивации электронных состояний достаточно велика. Кроме того, происходит резонансная миграция энергии электронного возбуждения - тоже безыз-лучательный перенос энергии, сходный с резонансной миграцией энергии внутримолекулярных колебаний. [45]
Страницы: 1 2 3 4