Режим - кристаллизация
Cтраница 2
Имеются все основания считать, что такой режим кристаллизации не только возможен, но весьма вероятен. Почти точно так же происходит кристаллизация металлов из загрязненных расплавов, которую интенсивно изучили Раттер и Чалмерс [118], Тиллер [133] и другие. Эти авторы показали, что у грани растущего кристалла образование слоя, обогащенного примесью, часто обусловливает резкое изменение режима роста и приводит к ячеистой кристаллизации. Кристаллы разделяются на параллельные столбчатые ячейки, вытянутые в направлении роста, при этом чистейший металл находится в середине каждой ячейки, а примеси сконцентрированы на границах, разделяющих ячейки. Со стороны фронта кристаллизации каждая ячейка оканчивается выступом, который проникает на некоторое расстояние в расплав. Этот выступ захватывает молекулы основного вещества, а оставшиеся примеси смещаются в стороны, со временем находя путь к границам ячеек кристалла. Порядок величины диаметра ячеек определяется выражением б D / v, где D - коэффициент диффузии примеси в расплаве, a v - скорость движения фронта кристаллизации. [16]
Цеолит типа NaX требует более строгого соблюдения режима кристаллизации, чем цеолит NaA, поэтому для его надежного получения предпочтительнее нести синтез не у границ, а в средней зоне поля кристаллизации. [17]
Однако, как отмечалось выше, переход от режима холодной кристаллизации к взрывной осуществляется по механизму первого рода. [18]
На рис. 1 - 4 приведены микрофотоснимки кристаллов, полученных при различных реагентных режимах кристаллизации. [19]
Особенности синтеза разновидностей цеолитов состоят главным образом в подборе реакционной массы и режима кристаллизации. Синтез основной группы цеолитов возможен в довольно широком диапазоне физико-химических, режимных и технологических условий. Но свобода в выборе этих условий убывает от группы А к группе X, от X до Y. Некоторые особенности в синтезе однотипных цеолитов могут возникнуть в зависимости от целей, для которых данные цеолиты предназначены. [20]
Взаимодействие непрореагировавшего апатита, содержащегося в пульпе, с серной кислотой нарушает регулирование режима кристаллизации полугидрата сульфата кальция и приводит к зашла-мовыванию зерен апатита сульфатом кальция. При таком варианте смешения реагентов кристаллизация сульфата кальция происходит в поверхностном слое пульпы при большом пересыщении жидкой фазы кальцием, которое к тому же подвержено резким изменениям в результате колебаний сернокислотного режима и пульсирующего поступления монокальциифосфатнои пульпы. Последнее объясняется недостаточной отмывкой ее и свойствами плохо фильтрующих кристаллов. [21]
Исходя из намеченных схем, рассчитанных материальных балансов, флегмовых чисел при ректификации и режимов кристаллизации, был проведен сравнительный ориентировочный расчет энергозатрат на выделение дурола из продукта гидрокрекинга данного состава. [22]
 |
Температурная зависимость скорости роста пленок при различных давлениях НС1.| Изменение скорости роста пленок в зависимости от времени транспорта. [23] |
В зависимости от того, какой процесс ограничивает скорость роста, различают диффузионный и кинетический режимы кристаллизации. [24]
Кроме указанных выше факторов, большое влияние на формирование кристаллов оказывают условия приготовления геля и режим кристаллизации. [25]
Для создания общей теории гетерогенного нестационарного зародышеобразования необходимы точные количественные данные о влиянии указанных дефектов и режимов кристаллизации на кинетические параметры процесса. Последнее возможно только при использовании статистических методов исследования и соответствующей обработке экспериментальных данных. [26]
 |
Тройная система с эвтектикой. [27] |
Таким образом, уже для самой простой из тройных систем распределение фаз и, следовательно, свойства зависят от режима кристаллизации и последующей термической обработки. [28]
 |
Схема способа герметизации контейнера. I - пробка. 2 - герметизирующее вещество. 3 - контейнер. [29] |
Так как в случае метода Бриджмена при высоких температурах невозможно визуально наблюдать положение фронта роста, то процесс кристаллизации ведут либо в режиме спонтанного зарождения, либо в режиме кристаллизации на затравку. Во втором случае предварительно с помощью термопары устанавливается определенное распределение температуры на нагревателе и находится область, в которой температура соответствует температуре плавления исходного вещества. Именно в этой области располагают контейнер с затравочным кристаллом таким образом, чтобы перед началом кристаллизации указанный кристалл частично ( примерно наполовину) расплавился. [30]
Страницы: 1 2 3 4