Cтраница 4
В этом кристаллизаторе процесс образования зародышей и роста кристаллов ничем не отличается от описанного выше. Однако с точки зрения режима кристаллизации и конструктивных особенностей такой кристаллизатор обладает рядом преимуществ. Процесс кристаллизации в этом аппаратате можно вести при температуре ниже 20 С, что в вакуум-кристаллизаторе практически невозможно; отпадает также необходимость в установке вакуумных машин. [46]
Радауцан [87] не наблюдал отклонения от стехиометрии состава кристаллов 1п2Те3, полученных зонной плавкой, в противоположность другим авторам [104, 105, 122, 123, 128, 129], которые наблюдали выделение теллура на стенках ампулы. В работах этих авторов даны режимы кристаллизации. [47]
Радауцан [87] не наблюдал отклонения от стехиометрии состава кристаллов In2Teg, полученных зонной плавкой, в противоположность другим авторам [104, 105, 122, 123, 128, 129], которые наблюдали выделение теллура на стенках ампулы. В работах этих авторов даны режимы кристаллизации. [48]
Изучению этого вопроса, обоснованию режима кристаллизации и посвящена настоящая работа. [49]
С целью изучения влияния наполнителя на морфологию надмолекулярной структуры ПУ была исследована сферолитная кристаллизация в температурных интервалах, в которых образуются указанные выше сферолитные структуры. Установлено, что независимо от режима кристаллизации введение наполнителя не приводит к изменению морфологии надмолекулярной структуры, однако, вызывает увеличение числа сферолитов и уменьшение их размеров. В качестве примера приведены микрофотографии структур, образующихся при кристаллизации ненаполненного и наполненного 10 вес. Такое увеличение числа сферолитов и уменьшение их размеров наблюдалось ранее и для кристаллизующихся полимеров [1-3] и объясняется зародышеобразующим действием дисперсных частичек наполнителя. Это наглядно иллюстрируется также микрофотографиями ненаполненного и наполненного 10 вес. [51]
ИК-спектры образцов ПУ-3 ( Л и ПУФ-3 ( Б. [52] |
С целью изучения влияния наполнителя на морфологию надмолекулярной структуры ПУ-3 была исследована сферолитная кристаллизация в температурных интервалах, в которых образуются указанные выше сферолитные структуры. Установлено, что независимо от режима кристаллизации введение наполнителя не приводит к изменению морфологии надмолекулярной структуры, однако способствует увеличению числа сферолитов и уменьшению их размеров. Такое явление наблюдалось ранее и для других кристаллизующихся полимеров [24-25] и объясняется зародышеобразующим действием дисперсных частичек наполнителя. [53]
Рассмотрим физико-химические процессы, обусловленные термической диссоциацией исходного вещества, его химическим взаимодействием с материалом контейнера и атмосферой кристаллизации. Без учета этих процессов невозможно определить температурно-вре-менной режим кристаллизации, а следовательно, оптимальные условия и метод выращивания монокристаллов. [54]
Зависимость размера кристаллов парафина и характера ( формы) его кристаллизации от природы парафина и состава продукта, содержащего парафин, разобрана выше при рассмотрении физических свойств компонентов сырья для депарафинизации. Здесь рассмотрим зависимость кристаллической структуры от условий и режима кристаллизации. [55]
В большинстве случаев ситаллы имеют электрические параметры, определяющие более высокие свойства, чем у обычных стекол соответствующего состава. Возможности, заложенные в изменениях рецептуры стекломасс и режиме кристаллизации ситаллов, позволяют создавать их с различными свойствами, в том числе с повышенной механической прочностью, разными значениями температурного коэффициента расширения вплоть до близких к нулю, что обеспечивает стойкость к температурным колебаниям. [56]
Это рассмотрение позволяет также понять роль температурного градиента. На рис. 23 а, б схематично показаны два режима кристаллизации. [57]
Принципиальная схема производства перхлората аммония обменной реакцией между перхлоратом натрия, аммиаком и соляной кислотой. [58] |
Применяется как периодическая, так и непрерывная кристаллизация. Регулирование гранулометрического состава кристаллов и их качества достигается путем изменения режима кристаллизации, в частности, степени перенасыщения растворов в кристаллизаторе. При использовании непрерывной схемы кристаллизации это достигается регулированием температуры кристаллизации, скорости рециркуляции жидкости и высоты слоя кристаллов; при периодическом способе кристаллизации - изменением скорости охлаждения. В литературе имеются указания на применение вакуум-кристаллизаторов с рециркуляцией жидкости [3], однако используются и другие типы кристаллизаторов. [59]