Значение - ток - база
Cтраница 1
Значения токов базы и коллектора становятся неизменными. В момент времени ( 4 прекращается действие входного импульсного сигнала, а следовательно, и инжекция электронов из эмиттера в базу, и ток эмиттера мгновенно уменьшается до исходного значения тока покоя / эо Скачкообразное изменение тока в цепи эмиттера вызывает почти такое же изменение тока в цепи базы. Ток в цепи базы изменяет направление на противоположное. Ток коллектора и ток базы остаются почти неизменными до тех пор, пока носители зарядов - инжектированные электроны и втянутые из внешней цепи положительные заряды - не покинут слой базы. Электроны постепенно переходят в область коллектора, а положительные заряды под действием отрицательного перепада напряжения на базе будут перемещаться через вывод базы. Начиная с момента времени tb число оставшихся носителей зарядов в базе быстро уменьшается, поэтому ток и в цепи базы и в цепи коллектора тоже начинает уменьшаться. Напряжение на коллекторе возрастает и к моменту времени ( я достигает значения напряжения в режиме покоя. [1]
Задаваясь значением тока базы, находим на характеристике варистора соответствующую точку и проводим через нее прямую, параллельную оси абсцисс. [2]
 |
Принципиальная схема термореле с транзисторным термочувствительным элементом. [3] |
Выведем выражения для расчета значений тока базы, при которых обеспечиваются срабатывание и отпускание реле при достижении заданных значений температуры. [4]
 |
Комбинированная схема для контроля транзисторов.| Схема для снятия статических характеристик транзисторов. [5] |
Внешние характеристики снимают для нескольких значений токов базы. [6]
 |
Характеристика германиевого переключающего прибора типа р-п-р-п при различных значениях тока управляющего электрода, присоединенного к тонкой базовой области. [7] |
Участок, соответствующий большому сопротивлению, исчезает при значениях тока базы, несколько больших 35 мка. В случае присоединения базового вывода к широкой области ( рис. 7) указанный тюк базы оказывается более 2 ма. В остальном характеристики, показанные на рис. 13, во многом таковы же, как изображенные на рис. 7, и их вид может быть объяснен влиянием тех же факторов. [8]
Оно показывает, во сколько раз базовый ток / б превосходит то значение тока базы ( / 6н), при котором транзистор оказывается на границе насыщения. [9]
Величина минимального остаточного напряжения на открытом транзисторе в инверсном включении, а также значение тока базы, при котором остаточное напряжение U0, минимально, в значительной степени зависят от типа транзистора. [10]
Статическая выходная характеристика транзистора показывает зависимость тока коллектора от напряжения на коллекторе при неизменном значении тока базы. Так как к коллекторному переходу приложено обратное напряжение, выходная характеристика соответствует левой ветви вольт-амперной характеристики р-л-перехода. [11]
Статическая выходная характеристика транзистора показывает зависимость тока коллектора от напряжения на коллекторе при неизменном значении тока базы. Так как к коллекторному переходу приложено обратное напряжение, выходная характеристика соответствует левой ветви вольт-амперной характеристики / - м-перехода. [12]
Так как транзистор в режиме ключа работает с большими сигналами на входе, то значение тока базы необходимо ограничивать включением последовательно с входным сигналом ограничивающего сопротивления. [13]
 |
Статические характеристики обратной связи транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. [14] |
Больший интерес представляют статические характеристики схемы с общим эмиттером, так как в них указываются значения токов базы. [15]
Страницы: 1 2 3