Значение - ток - база
Cтраница 2
Степень квази-насыщения, то есть той доли v-области, которая изменила свою проводимость, зависит от значения тока базы. [16]
 |
Статические характеристики обратной связи транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. [17] |
Практически больший интерес представляют статические характеристики схемы с общим эмиттером, так как в них указываются значения токов базы. Для схемы с общей базой ток базы не измеряется, а определить его по токам эмиттера и коллектора с достаточной точностью невозможно, так как токи эмиттера и коллектора, мало отличаются. [18]
Практически больший интерес представляют статические характеристики схемы с общим эмиттером, так как в них указываются значения токов базы. Для схемы с общей базой ток базы не измеряется, а определить его по токам эмиттера и коллектора с достаточной точностью невозможно, так как токи эмиттера и коллектора мало отличаются. [19]
Коэффициент насыщения транзистора в режиме переключения - отношение тока базы биполярного транзистора в открытом состоянии к значению тока базы, при котором рабочая точка транзистора переходит из активной области на границу насыщения области. [20]
При изменении тока базы точка пересечения с характеристикой будет перемещаться по нагрузочной линии, определяя при каждом значении тока базы величину тока в коллекторной цепи. [21]
Для построения переходной характеристики ось абсцисс семейства выходных характеристик продолжим влево и отложим на ней отрезки, соответствующие значениям тока базы, при которых сняты выходные характеристики. Через каждую из отмеченных точек проводим прямую, параллельную оси ординат. [22]
 |
Схема усилительного каскада. [23] |
На рис. 14 в первом квадранте даны выходные характеристики триода, представляющие зависимость тока коллектора / к от напряжения между коллектором и эмиттером UK3 при различных неизменных значениях тока базы / б и снятые при отсутствии сопротивления нагрузки. [24]
По аналогии с нормальным активным режимом работы транзистора выразим уравнение вольт-амперной характеристики базо-коллекторного перехода через характерную точку / Б, U & K, где Б - то же значение тока базы, которое характеризует точку с координатами / Б, f / бэ Для базо-эмиттерного перехода транзистора, работающего в нормальном активном режиме. [25]
Инерционность транзистора при его включении согласно упрощенной диффузионной модели ( см. § 2 - 1) проявляется главным образом в том, что заряд неосновных носителей в базе Q6 увеличивается не мгновенно, а с определенной скоростью, зависящей от параметров транзистора и значения тока базы. [26]
 |
Построение переходной характеристики ( а, линии нагрузки ( б и динамической входной характеристики ( в при Ек - 10 в и /. к 500 ом. [27] |
Динамическая входная характеристика строится на семействе вхоДных характеристик ( рис. 1.25, в) следующим образом. Задаваясь значениями тока базы / б, определяют напряжения на коллекторе С / к по пересечению линии нагрузки и соответствующей выходной характеристики. [28]
Начальному ( нулевому) значению тока базы соответствует и нулевое значение заряда в базе Q. После появления скачка отпирающего тока базы заряд начинает возрастать. [29]
Для ключа рис. 5 - 1 теоретически невозможно снизить остаточное напряжение ключа С / кл до нуля, тогда как для ключа рис. 5 - 2 при определенных соотношениях U0t и U02, определяемых значениями токов / ei и / 62, это оказывается возможным. Для описываемой схемы коэффициент передачи в замкнутом состоянии был равен единице при значениях токов базы / oi 2 ма и / 62 9 ма. [30]
Страницы: 1 2 3