Значение - ток - насыщение
Cтраница 2
В действительности значение установившегося тока коллектора транзистора, находящегося в режиме насыщения, несколько превышает значение тока насыщения, вычисленного по (4.169), так как кроме ЭДС источника питания надо еще учесть падение напряжения на объемном сопротивлении базы. [16]
 |
Схема для снятия характеристик фотоэлемента. [17] |
Вольт-амперные характеристики фотоэлементов подобны рассмотренным характеристикам вакуумных ламп: с увеличением напряжения анодный ток возрастает до значения тока насыщения. [18]
 |
Вольт-амперная характеристика кремниевого диода на 200 A, SOO В при температуре перехода 20 С ( основная линия и 120 С ( пунктирная линия. [19] |
При дальнейшем увеличении обратного напряжения ( участок А - Б характеристики) обратный ток еще немного возрастает и достигает значения тока насыщения, который при этом остается практически неизменным. [20]
При этом дальнейшее увеличение t / cil приводит к слабому росту тока стока, так как одновременно растет сопротивление канала ( полное перекрытие канала расширяется вглубь к истоку), а ток стока достигает значения тока насыщения / с нас - Очевидно, что при U3 О U с ас U 3 ото. Режим пологого участка вольт-амперной характеристики называют режимом насыщения. [21]
Если p - n - переход подсоединить к внешнему источнику напряжения, как показано на рис. 5.12 0, ( направление ЭДС совпадает с направлением потенциального барьера), значение тока неосновных носителей при этом не изменится, поскольку оно уже равно значению тока насыщения, так как все возникающие носители переходят через барьер. [23]
Это область насыщения: все эмиттирован-ные электроны собираются анодом. Значение тока насыщения / о зависит от интенсивности света. Поскольку освещение слабое, это значение невелико. [24]
 |
Ток насыщения при несамостоятельной проводимости газа. [25] |
Если, например, наша горелка создает за 1 сек. Это и есть значение тока насыщения в данном случае. [26]
Показанный на рис. 1 - 2, б ток насыщения Is ограничен эмиссионными свойствами катода. В катодах прямого накала значение тока насыщения увеличивается по мере повышения напряжения накала. В катодах косвенного накала, особенно оксидированных, значение тока насыщения ярко не выражено. Тем не менее нагрузка кенотрона по анодному току ограничена, так как при перегрузке кенотрона нарушается целостность верхнего слоя катода и срок службы кенотрона значительно снижается. Отсюда вытекает, что режим эксплуатации кенотронов, особенно мощных, должен быть строго выдержан. [27]
Вольт-амперные характеристики вакуумных ( рис. 4.3, а) и ионных ( рис. 4.3 6) фотоэлементов существенно различаются. В вакуумных фотоэлементах фототок быстро достигает значения тока насыщения, когда все электроны, вылетевшие из катода, доходят до анода. Ионные фотоэлементы насыщения не имеют в связи с ионизацией газа при повышении анодного напряжения. При достижении значения, соответствующего напряжению зажигания, наступает самостоятельный газовый разряд и фотоэлемент выходит из строя. [28]
 |
Форма импульса коллекторного тока транзистора в режиме насыщения. [29] |
В момент формирования спада входного сигнала структура не может мгновенно выйти из состояния насыщения, а остается в этом состоянии до тех пор, пока концентрация неосновных носителей в базе у коллектора не уменьшается до значения равновесной. В процессе рассасывания неосновных носителей ток коллектора остается приблизительно равным значению тока насыщения. [30]
Страницы: 1 2 3 4