Cтраница 3
Выражение (8.4.6) обнаруживает некоторые интересные черты резистивного поведения сверхпроводников 2-го рода. Числитель показывает, что никакого напряжения нет до тех пор, пока ток не превысит значения тока насыщения. [31]
На том же рис. 18 - 12 показано влияние тока накала на величину тока насыщения. Чем больше ток накала / н ( / Hi / H2Ajs), тем выше значение тока насыщения, что может быть объяснено тем, что с повышением тока накала и тем самым температуры катода растет и плотность тока термоэлектронной эмиссии, и потому равновесие между интенсивностью выделения электронов и скоростью их отхода от катода наступает при большем анодном напряжении. [32]
На том же рис. 18 - 12 показано влияние тока накала на величину тока насыщения. Чем больше ток накала / н ( / н1 н2 / нз), тем выше значение тока насыщения, что может быть объяснено тем, что с повышением тока накала и тем самым температуры катода растет и плотность тока термоэлектронной эмиссии, и потому равновесие между интенсивностью выделения электронов и скоростью их отхода от катода наступает при большем анодном напряжении. [33]
![]() |
Двухэлектродная лампа ( диод. К - катод ( накаленная нить. А - анод ( цилиндр. М - стеклянный баллон. а Изображение, б Схема. [34] |
Таким образом, получаются все точки вольтамперной характеристики ( см. рис. 157), начиная от / 0 до тока насыщения. Лишь при достаточно большом напряжении все электроны, вышедшие из катода, достигают анода, электронное облако полностью рассеивается, и ток приобретает свое максимальное значение - значение тока насыщения. [35]
![]() |
Двухэлектродная лампа ( диод. К - катод ( накаленная нить. А - анод ( цилиндр. М - стеклянный баллон. а Изображение, б Схема. [36] |
Таким образом, получаются все точки вольтамперной характеристики ( см. рис. 157), начиная от / 0 до тока насыщения. Лишь при достаточно большом напряжении все электроны, вышедшие из катода, достигают анода, электронное облако полностью рассеивается, и ток приобретает свое максимальное значение - значение тока насыщения. [37]
Показанный на рис. 1 - 2, б ток насыщения Is ограничен эмиссионными свойствами катода. В катодах прямого накала значение тока насыщения увеличивается по мере повышения напряжения накала. В катодах косвенного накала, особенно оксидированных, значение тока насыщения ярко не выражено. Тем не менее нагрузка кенотрона по анодному току ограничена, так как при перегрузке кенотрона нарушается целостность верхнего слоя катода и срок службы кенотрона значительно снижается. Отсюда вытекает, что режим эксплуатации кенотронов, особенно мощных, должен быть строго выдержан. [38]
![]() |
Эквивалентная схема триггера в регенеративной стадии при прямом переключении. [39] |
В следующей регенеративной стадии происходит лавинообразный процесс открывания транзисторов. Вследствие действия положительной обратной связи в ходе этой стадии резко возрастают прямые токи, протекающие через транзисторы. Стадия оканчивается в тот момент, когда коллекторный ток входного транзистора, увеличиваясь, достигнет значения тока насыщения / к. [40]
Очевидно, что вполне возможно протекание тока, превышающего ток насыщения в сверхпроводнике 2-го рода, но при этом возникает градиент напряжения. Этот градиент определяется сопротивлением в смешанном состоянии. Упростим процесс, происходящий в этой рези-стивной области, предположив, что при токах, несколько превышающих значения тока насыщения, сопротивление равно сопротивлению в смешанном состоянии. [41]
Как видно из вольт-амперных характеристик для вакуумных фотоэлементов с внешним фотоэффектом ( фиг. При больших значениях напряжения изменение напряжения почти не влияет на величину тока. Частотные харак-достижения значения тока насыщения продолжает нарастать ( фиг. Это объясняется ионизацией газа при повышенных напряжениях и, следовательно, больших скоростях движения электронов. При напряжении зажигания в фотоэлементе возникает самостоятельный газовый разряд, сопровождаемый большим током, быстро разрушающим фотокатод. [42]
Название короткий образец возникло благодаря случаю, но закрепилось, для того чтобы его параметры отличать от других критических токов и плотностей тока. Как только начали конструировать сверхпроводящие катушки, было найдено, что ток, текущий в катушке перед внезапным переходом ее обмотки в нормальное состояние, был много меньше тока, переводящего в нормальное состояние короткий образец. Тогда, на заре сверхпроводящих магнитов, было сделано предположение, что проволока из сверхпроводника 2-го рода может использоваться в катушке только при токах, меньших, чем критический ток короткого образца. Теперь известно, что на самом деле она может работать даже при токе, превышающем значение тока насыщения. [43]
Электроны, непрерывно испускаемые катодом, частично отбрасываются этим облаком обратно к катоду и не доходят до анода: устанавливается ток более слабый, чем ток насыщения. Итак, каждому значению напряжения между катодом и анодом соответствует своя плотность электронного облака и своя сила тока. Таким образом, получаются все точки вольтамперной характеристики ( рис. 149), начиная от / 0 и до тока насыщения. Лишь при достаточно большом напряжении все электроны, вышедшие из катода, достигают анода, электронное облако полностью рассеивается, и сила тока приобретает свое максимальное значение - значение тока насыщения. [44]
![]() |
Зависимость сигнала детектора от концентрации азота и водорода в гелии ( а и от концентрации водорода в гелии в обратных координатах ( б ( режим тока насыщения. [45] |