Режим - пробой
Cтраница 1
Режим пробоя исключается в схемах управления с ограничением коллекторного напряжения на уровне максимально допустимого рабочего напряжения. Однако, разница в 25 - 30 в недостаточна для исключения так называемых зондовых токов на другие, негорящие катоды. В результате ток горящего катода уменьшается, и он неполностью покрывается свечением, а вокруг некоторых негорящих катодов появляется ореол. [1]
В режиме частых пробоев в фильтре указанные выше параметры необходимо выбирать в обратном порядке: для реле РВЗ возможно меньшими, а для реле РВ2 - возможно большими. [2]
 |
Распределение примесей в базе дрейфового транзистора. [3] |
Инжекция в режиме пробоя, как известно, отсутствует, и, следовательно, по коллекторной цепи транзистор остается запертым. [4]
 |
Функции распределения пор пи радиусам в различных бигторпстых электродах [ 36 J. [5] |
Только в режиме пробоя существенно возрастает поверхность раздела жидкость - газ, что позволяет в полной мере использовать преимущества пористого электрода. Чтобы избежать недоразумений, отметим, что в режиме пробоя находится только активный слой, а запорный слой предотвращает пробулышвание. Если структура активного слоя является бшюристой ( см. рис. 204), то рабочее давление обычно лежит между максимумами функции распределения пор по радиусам. В этой области заполнение и ток практически не зависят от давления. [6]
 |
Функции распределения нор по радиусам в различии х uiiiiojuicTbix. электродах. [7] |
Только в режиме пробоя существенно возрастает поверхность раздела жидкость - газ, что позволяет в полной мере использовать преимущества пористого электрода. Чтобы избежать недоразумений, отметим, что в режиме пробоя находится только активный слой, а запорный слой предотвращает пробулькивание. Если структура активного слоя является бшюристой ( см. рис. 2LH), то рабочее давление обычно лежит между максимумами функции распределения пор по радиусам. В этой области заполнение и ток практически не зависят от давления. [8]
Гофрировка затрудняет наступление режима пробоя. Поэтому ток по (9.129) в этом случае обращается в нуль, так как формула (9.129) описывает объемные эффекты. Оценка поверхностных эффектов показала, что они весьма малы. Y, как показывает анализ формулы (9.129), ток электрода в гофрированной модели меньше, чем ток в аналогичной модели, но с порами постоянного радиуса. Приведенные здесь формулы (9.129) - (9.131), а также (4.112), (4.113) решают в принципе задачу об электрохимической активности электрода. [9]
Гофрировка затрудняет наступление режима пробоя. При затухающем характере распределения ( А: v) ran проникает только в поверхностный слой пористой среды, так что У U. Поэтому ток по (9.129) в этом случае обращается в пуль, так - как формула (9.129) описывает объемные эффекты. Оценка поверхностных эффектов показала, что они весьма малы. В области промежуточных значений У, как показывает анализ формулы (9.129), ток электрода в гофрированной модели меньше, чем ток в аналогичной модели, но с порами постоянного радиуса. Приведенные здесь формулы (9.129) - (9.131), а также (4.112), ( 4.11 Н) решают в принципе задачу об электрохимической активности электрода. [10]
 |
Процессы при обратном напряжении на высоковольтном вентиле. [11] |
Так как в режиме динамического пробоя можно говорить лишь о степени вероятности возникновения обратных зажиганий, то кривая, относящаяся к динамическому пробою, является вероятностной и проведена она потому пунктиром. Приведенная кривая относится к условно принятой в качестве допустимой для высоковольтных вентилей частоте обратных зажиганий: примерно одно обратное зажигание в год. [12]
 |
Положение областей. [13] |
Шумы при переходе в режим пробоя являются отличительной особенностью лавинного процесса и наблюдаются в основном на высоковольтных переходах. Вначале лавинный процесс не является достаточно устойчивым: он возникает, срывается, возникает снова. [14]
Работа полупроводниковых приборов в режиме пробоя, вообще говоря, не опасна, если при этом мощность, рассеиваемая в приборе, ограничивается на уровне допустимого значения. Ограничение рассеиваемой мощности возможно путем ограничения пробивного тока и ограничения возникающих перенапряжений. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5