Режим - пробой
Cтраница 4
Дальнейшее повышение / у становится бесполезным, так как большая часть его будет протекать через участок перехода, работающий в режиме пробоя. [46]
На рис. 5 - 16 приведены осциллограммы высокочастотных колебаний, измеренных на выходе силового блока агрегата питания при работе электрофильтра в режиме пробоев. Как видно из рис. 5 - 16 а, амплитуда напряжения достигает 200 кв и выше. Для-защиты силовых вентилей кабеля и аппаратуры рекомендуется применять фильтры низкой частоты. Такой фильтр состоит из высоковольтного резистора, который включается последовательно, и высоковольтного конденсатора, включаемого параллельно силовому выпрямителю. [47]
 |
Квазистатические ЭП на транзисторе с оборванным выводом базы ( а, на основе СТ-структуры ( б и временные диаграммы работы ЭП с СТ-структурой ( в. [48] |
Известна группа схем ЭП квазистатического и динамического типов, в которых при записи информации один из р - n - переходов работает в режиме пробоя. [49]
Кремниевые стабилитроны удовлетворяют этим требованиям, так как сопротивление стабилитрона при напряжении, меньшем напряжения пробоя, обычно более 10 Мом, в режиме пробоя не превышает десятков ом, в прямом направлении при напряжении свыше 0 7 в - порядка 5 - 7 ом. На рис. 11 - 13 приведены примерные схемы ограничителей на кремниевых стабилитронах и графики напряжений на входе и выходе ограничителей. [50]
Для кремниевых стабилитронов действительны все характеристики и параметры, которые сообщаются для полупроводниковых диодов-выпрямителей, но в связи со специфическим назначением появляется ряд новых параметров, характеризующих свойства стабилитрона в режиме пробоя. [51]
Все стабилитроны изготовляют на основе n - Si, так как его применение обеспечивает малый обратный ток до наступления пробоя, в рабочем режиме не превышающий прямого тока, резкий переход в режим пробоя при незначительных изменениях обратного напряжения и допускает нагрев р-и-перехода до высоких температур. Вольт-амперная характеристика стабилитрона для разных температур, условное обозначение в схемах и простейшая схема стабилизации постоянного напряжения с помощью стабилитрона показаны на рис. 16.24, а, б соответственно. [52]
Все стабилитроны изготовляют на основе n - Si, так как его применение обеспечивает малый обратный ток до наступления пробоя, в рабочем режиме не превышающий прямого тока, резкий переход в режим пробоя при незначительных изменениях обратного напряжения и допускает нагрев p - n - перехода до высоких температур. Вольт-амперная характеристика стабилитрона для разных температур, условное обозначение в схемах и простейшая схема стабилизации постоянного напряжения с помощью стабилитрона показаны на рис. 1.24, а, б соответственно. [53]
Стабилитроны в отличие от обычных диодов работают в режиме пробоя; рабочая точка находится на участке пробоя обратной ветви характеристики, имеющем большую крутизну. Режим пробоя, недопустимый для обычных транзисторов, для стабилитронов является рабочим. Стабилитроны используют для получения опорных напряжений высокой стабильности, а также в качестве дополнительных местных источников напряжения небольшой мощности. [54]
Увеличение обратного напряжения приводит при некотором значении L / обр 1 / обр. В режиме пробоя переход может выйти из строя вследствие изменения структуры кристалла при нагреве. Если ток ограничен общим сопротивлением цепи, пробой носит обратимый характер. [55]
Прямой ток протекает в направлении стрелки, образованной в графическом символе. В режиме пробоя направление тока противоположно стрелке. [56]
В конструкциях современных кинескопов обеспечивается режим мягкого пробоя при токах разрядки не более 150 А. В самых последних разработках кинескопов этот ток стараются снижать до 50 А. [57]
Вы считаете, что сопротивление тиристора в режиме пробоя в четыре раза отличается от сопротивления Rit так как постоянные времени, определяемые из графика рис. 5.7, при заряде и разряде конденсатора отличаются друг от друга в четыре раза. Отсюда ясно, что сопротивление тиристоров в режиме пробоя R2 tgap / Q не равно 400 Ом. [58]
 |
Функции распределения пор пи радиусам в различных бигторпстых электродах [ 36 J. [59] |
Только в режиме пробоя существенно возрастает поверхность раздела жидкость - газ, что позволяет в полной мере использовать преимущества пористого электрода. Чтобы избежать недоразумений, отметим, что в режиме пробоя находится только активный слой, а запорный слой предотвращает пробулышвание. Если структура активного слоя является бшюристой ( см. рис. 204), то рабочее давление обычно лежит между максимумами функции распределения пор по радиусам. В этой области заполнение и ток практически не зависят от давления. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5