Режим - распыление
Cтраница 2
В связи с этим значительный интерес представляло экспериментально исследовать влияние основных факторов на траекторию движения частиц и угол распыленного факела; определить оптимальные параметры режима распыления и пределы изменения величин, входящих в эмпирические функциональные зависимости. [16]
 |
Зависимость удельной электропроводности гндрогеннзнрованного аморфного кремния при комнатной температуре от состава газовой смеси. [17] |
Присутствующий в рабочей камере водород захватывается распыляемыми частицами и попадает в растущую пленку, причем его содержание в пленке можно регулировать от нуля до нескольких процентов, изменяя соотношения газов в газовой смеси и режимы распыления. [18]
Методом пневматического распыления можно наносить все виды лакокрасочных материалов - масляные, спиртовые, нитро-целлюлозные и полиэфирные лаки и эмали, грунтовки, шпатлевки и растворы красителей, доведенных до вязкости 20 - 60 сек по ВЗ-4 при 20 С - При этом для каждого вида отделочного материала должен быть свой режим распыления. Далее, при распылении низковязких материалов ( 8 - 15 сек по ВЗ-4) следует работать при давлении ( избыточном) 2 5 - 3 0 ат, в то время как при применении более вязких лаков давление ( избыточное) следует поднимать до 3 5 - 4 0 ат. Давление ( избыточное) воздуха на лак внутри красконагнетательного бачка также зависит от вязкости применяемого материала: для низковязких составов оно составляет 0 2 - 0 3 ат, а для более вязких - 0 5 ат. [19]
 |
Схема распылительных камер различных типов. тупиковой ( а, проходной односторонней ( б, в. проходной двухсторонней ( г. I - гвдрофильтр. 2 - изделие. 3 - конвейер. 4 - позиция работающего. [20] |
Наиболее важным из этих факторов, обусловливающим величину потерь материала на туманообразование, является давление сжатого воздуха на распыление. Для поддержания режима распыления при оптимальном давлении в корпусе стандартного распылителя КРУ-1 вмонтирован специальный автоматический клапан - ограничитель давления, представляющий собой подпружиненный шарик, размещенный в корпусе клапана, сообщающемся с воздушным каналом, подводящим сжатый воздух к распылительной головке. [21]
Таким образом, для получения полых микросфер необходимо наличие газовых пузырьков в исходных каплях олигомера, однако, как было показано выше, это условие не является достаточным. Увеличение доли таких капель достигается регулированием режима распыления, надлежащим выбором вязкости смолы и введением в композицию активных центров зарождения газовых пузырьков. [22]
 |
Распределение жидкости по ширине захвата вращающегося распылителя. [23] |
В Венгрии разработан навесной штанговый опрыскиватель УЛВ-12 с шестью двухконусными распылителями Микрон открытого типа. Распылители работают на первом и втором монодисперсных режимах распыления. [24]
Там же нанесены нагрузочные ( выходные) характеристики блока питания. Пересечение нагрузочных характеристик с вольт-амперными характеристиками тлеющего разряда определяет режим распыления. [25]
К-421-02 и др. Из полученных данных следует, что общий характер изменения среднего угла распыления а примерно одинаков и зависит главным образом от энергии движения частиц в направлении поля, от перпендикулярно к нему направленных ради-ально расходящихся сил отталкивания одноименных зарядов и от силы тяжести. Однако степень изменения а зависит от физико-химических свойств жидкостей и режимов распыления. На рис. 3 6 видно смещение прямых относительно друг друга и небольшое изменение угла их наклона. [26]
При пульверизации раствор фоторезиста распыляется под давлением фреона или сухого подогретого инертного газа. Пульверизация обеспечивает высокую однородность по толщине ( отсутствие краевого утолщения) и возможность автоматизации, но требует тщательного подбора режимов распыления и состава раствора из-за опасности образования в фотослое газовых включений. [27]
 |
Зависимость удельного сопротивления танталовых пленок от смещения на подложке, свидетельствующая о получении различных структурных модификаций ( 3 - Та и ОЦК-Та. [28] |
Дальнейшие исследования удельного сопротивления и структуры пленок, полученных ионным рас-иылением, провел Хьюрль [76], который сравнивал молибденовые пленки, нанесенные геттерным распылением, ионным распылением со смещением и комбинацией этих методов. Пленки, полученные при температуре подложки 350 С одним только ионным распылением со смещением, имели удельное сопротивление 10 - 10 - 6 Ом-см, а удельное сопротивление пленок, полученных с помощью только геттерного распыления, составляло 30 - 10 6 Ом - см. В пленках же, полученных комбинацией этих методов, удельное сопротивление достигало величины 7 - Ю 6 Ом - см. В работах [78, 79] было показано, что режим распыления со смещением существенно влияет на магнитные свойства тонких пленок. В этом методе пленка во время ее нанесения также подвергается частичному распылению, что достигается приложением переменного напряжения между подложкой и катодом. С помощью соответствующей схемы добиваются, чтобы значительно больший ток протекал в тот полупериод, когда катод отрицателен Таким образом будет осуществляться перенос материала с катода на подложку. Ионное распыле-ние на асимметричном переменном токе, по-видимому, почти эквивалентно распылению со смещением. [29]
Однако этот метод имеет ряд существенных недостатков, что ограничивает его применение. Так, например, при нанесении металла горячим способом на поверхность пластмасс допускается применение только легкоплавких металлов во избежание прижога пластмасс или размягчения; невозможно воспроизвести тонкий рисунок на поверхности изделия, велик непроизводительный расход материала. Незначительное отступление от режима распыления приводит к браку. [30]
Страницы: 1 2 3