Cтраница 2
Температура 70 - 80 С; катодная плотность тока 7 а / дм2; режим реверсирования тока: Гк 10 сек. [16]
Температура 70 - 80 С; катодная плотность тока 4 - 5 а / дм2; режим реверсирования тока: Тк 10 - 12 сек, Га 1 0 - f - 1 5 сек. [17]
Температура 70 - 80 С; катодная плотность тока 4 - 5 а / дм2; режим реверсирования тока: Тк Ю - 12 сек, Тя 1 0 - f - 1 5 сек. [18]
Схема установки для низкотемпературной направленной кристаллизации. [19] |
Привод 1 обеспечивает реверсивное вращение шпинделя 17, соединенного с держателями / 5 трех контейнеров 13 с пробами. Для облегчения центровки контейнеров в держателях применяют разрезные фторопластовые кольца. Режим реверсирования задается механическим устройством, которое обеспечивает периодическое переключение двух микровыключателей при помощи электродвигателя типа РД ( 3, рис. 67), на оси которого закреплен вращающийся сектор. Тепло из камеры отводится при помощи испарителя 9 холодильного агрегата ВН-035-3 с компрессором ФГН-035 на фреоне-12. Сверху холодильная камера закрыта прозрачной крышкой из оргстекла с отверстиями для контейнеров, мешалки и термометров. Минимальная рабочая температура в камере составляет - 35 С. [20]
Реверсирование тока также способствует получению гладких покрытий. Режимы реверсирования следующие: iK - 3 Л / дм, ia 12 А дк. [21]
При комнатной температуре и ( к - 5 А / дм2 осаждаются плотные осадки алюминия до толщин 0 5 мм и более. Для получения толстых покрытий рекомендуется непрерывное перемешивание электролита и фильтрация. Реверсирование тока также способствует получению гладких покрытий. Режимы реверсирования следующие: IK 3 А / дм2, ia 12 А / дм. [22]
При комнатной температуре и ( к - 5 А / дмг осаждаются плотные осадки алюминия до толщин 0 5 мм и более. Для получения толстых покрытий рекомендуется непрерывное перемешивание электролита и фильтрация. Реверсирование тока также способствует получению гладких покрытий. Режимы реверсирования следующие: ( 3 Л / дм, ia 12 Л / дк. K 2 5 А / дм2, ia 7 5 А / дм2, т 40 с, та 10 с; или i, 0 5 А / дм2, а 2 А / дм2, ти 10 мин, td I мии. [23]
Но реверсирование тока должно влиять также и на наводо-роживание металла основы и металла покрытия. Механизм влияния реверсирования на наводороживание металла основы может заключаться в действии перемены направления тока непосредственно на акт выделения водорода на катоде ( ионизация адатомов водорода в анодный период), или в действии электромагнитного поля на диффузию водорода в приповерхностных слоях металла, либо, наконец, ( в случае электроосажде-кия металлов) в изменении водородопроницаемости формирующегося осадка металла. Влияние этих факторов в отдельности трудно оценить. Кроме того, уменьшение внутренних напряжений в металле покрытия приводит к меньшему понижению усталостных характеристик образцов с гальванопокрытиями, нанесенными в режиме реверсирования тока. Поэтому если оценивать влияние реверсирования тока на величину наводорожи-вания стали по результатам усталостных испытаний покрытых, образцов, то результаты будут сложной функцией указанных переменных. [24]