Cтраница 1
Режим считывания определяется кодом команды. [1]
Режим считывания определяется кодом команды. При считывании информации, представленной в коде КПК-12, производится контроль считанной информации на несуществующую комбинацию пробивок. [2]
Структурная схема К. Р1802ВВ1. [3] |
Режим считывания или записи может быть задан только при разрешении обмена информацией с выбранным каналом, что определяется входами ЕСА, ЕСВ ЕСС, ЕСХ. [4]
Режим считывания в ЗУ 2D отличается от режима считывания в ЗУ 3D тем, что по словарной обмотке поступает полный импульс тока считывания, переводящий все сердечники линейки в нулевое состояние. [5]
Режим считывания отличается от режима стирания тем, что процесс считывания сопровождается импульсом строба, который управляет усилителями считывания, открывая их, что способствует передаче информации в регистр. В процессе стирания строби-рующий импульс на усилители не поступает, информация теряется. [6]
Режим считывания определяется кодом команды. [7]
В режиме считывания эмиттерные переходы 2, 3, 4 и 5 транзисторов закрыты ( на адресных шинах Х и YI логические единицы), ток открытого транзистора протекает по разрядной шине, подключенной к эмиттеру 6 на вход усилителя считывания У4, формируя на его выходе F сигнал логической единицы. [8]
В режиме считывания и записи существует ряд дополнительных возможностей. [9]
В режиме считывания информация, хранимая в п запоминающих элементах ЗЭ выбранного слова, появляется на 2п парафазных разрядных шинах накопителя, усиливается п усилителями считывания 6 и заносится в регистр RG выходного слова. РШ накопителя и записывается в п запоминающих элементах выбранного слова. Таким образом, при словарной организации ЗУПВ обращение производится к запоминающим элементам ЗЭ нескольких разрядов одного слова. [10]
В режиме считывания усилитель считывания предварительно устанавливает высокий уровень напряжения на разрядной шине РШ. [11]
В режиме считывания схема работает аналогично. При этом для считывания используется та же обмотка магнитной головки, что и при записи единицы. Адрес, по которому требуется произвести считывание числа, подается на приемный регистр адреса и сравнивается с кодами чисел счетчика. В этот момент под головками будет находиться число, которое необходимо считать. [12]
ТТЛ-схема разрядного дифференциального УС для накопителя на ТОЭ-ЭП с диодными связями. [13] |
В режиме считывания диоды Д2 и Д2 смещены в обратном направлении и емкость этих диодов препятствует прохождению постоянной составляющей дифференциального сигнала на входы триггера. Отпирание транзистора Т2 приводит к понижению потенциала на эмиттере транзистора Т4 и переходу транзистора Т5 в режим отсечки. На входе Двхо - усилителя считывания формируется перепад положительной полярности, что соответствует считыванию О в выбранном ЭП. [14]
В режиме считывания и воспроизведения / / / электроны немодулированного луча, пролетая сквозь мишень, попадают на коллектор-рефлектор и люминофор экрана. Потенциальный рельеф относительно катода - 1450 - 70 - - ( - 1500) UH Un - 20 в оказывается отрицательным. Рельеф действует как управляющая сетка в электронной лампе - модулирует поток электронов. [15]