Режим - считывание
Cтраница 2
В режиме считывания на входы 3 - С микросхем памяти 4 - 11 подается сигнал нулевого уровня. [16]
В режиме считывания триггер обращения Т06р ставится в состояние 1 и разрешает прохождение информационных сигналов, считанных с магнитной ленты информационными головками ГИнф и сформированных в стандартные логические сигналы усилителями воспроизведения УВ, на числовой регистр и далее в ЦВМ. [17]
В режиме считывания рекомендуется работать при задержке сигнала l / OEL по отношении к адресным еигналам, равной 100 не, так как большее время задержки соответственно увеличивает время выборки адреса. [18]
В режиме считывания с выводов 8, 9 снимается усиленное напряжение с одного из 4 - х каналов. Выбор каналов осуществляется подачей кода с уровнями ЭСЛ на выводы 2, 11 в соответствии с таблицей. [19]
В режиме считывания результирующее сопротивление этих диодов, определяемое начальным участком их вольт-амперных характеристик, значительно меньше входного сопротивления каскада на Т4, что позволяет получить высокий коэффициент передачи сигнала. [20]
 |
Ячейка памяти.| Матрица с линейной выборкой. [21] |
В режиме считывания по шинам yt подаются сигналы, достаточные для полного перемагничивания сердечников, а шины х служат выходными шинами и сигналы с них поступают в выходные регистры ЗУ. [22]
В режиме считывания происходит подача питания по шинам x [ t yf в выбираемый элемент памяти. На разрядных шинах получают сигналы соответствующего состояния триггера, которое в процессе считывания не изменяется, а следовательно, обеспечивается неразрушающее считывание и нет необходимости в восстановлении информации. На выходе триггера - две схемы конъюнкции, управляемые сигналом разрешения чтения и передающие сигналы состояния триггера на разрядные шины ЗУ. [23]
В режиме считывания выбор сердечников матрицы аналогичен процессу записи, но токи по адресным и разрядным шинам вызывают полное перемагничивание тех сердечников, где была записана 1, и частичное перемагничивание сердечников с нулевой информацией. Наводимые в разрядных полях сигналы на выходные обмотки каждого разряда поступают в блоки усилителей и далее в RGC. Регенерация представляет собой режим записи. Режим чтения в ОЗУ типа 2 5D отличается от режимов чтения в других видах ОЗУ тем, что здесь разрядные провода каждую пару столбцов сердечников проходят в разных направлениях петлей и поэтому взаимодействие обмоток и их индуктивная связь слабее, а следовательно, переходные процессы заканчиваются быстрее. К достоинствам ОЗУ типа 2.5 D следует отнести более равномерные нагрузки и длины адресных и разрядных обмоток, меньшие требования к стабильности адресных и разрядных токов, большее быстродействие при значительной емкости. [24]
В режиме считывания на шину X выбранной строки подают напряжение U, лежащее в пределах UnipH... Люро так что в элементах памяти этих строк транзисторы закрыты. [25]
В режиме считывания ИС работают как статические ПЗУ, а выходные уровни определяются записанной информацией и логическими уровнями на адресных и управляющих входах. В ИС предусмотрен режим отключение выводов, при этом ИС находятся в режиме считывания, а выходы отключены, что позволяет ускорить выборку информации. Схемы управления должны запитываться от одного источника Un, что и сама ИС. Во избежании потери информации при ее длительном хранении окно корпуса при эксплуатации должно быть защищено от воздействия ультрафиолетового и видимого облучения. Извлечение и установка ИС допускается только при отсутствии на выводах напряжения и входных сигналов. Стирание информации проводят воздействием потока ультрафиолетового излучения с длиной волны Я253 7 нм, направленным перпендикулярно плоскости окна корпуса. [26]
В режиме считывания ЯО на выводе О В, в режиме программирования PL - подключен генератор тока. [27]
В режиме считывания шины столбца подключены ко входам усилителя считывания с высоким входным сопротивлением. Они воспринимаются усилителем считывания. [28]
В режиме считывания шины столбца подключены ко входам усилителя считывания с высоким входным сопротивлением. Предварительно на них с помощью формирователя Y устанавливают опорное напряжение t / OII ( f / Uou. При поступлении импульса выборки на шину X транзистор элемента памяти отпирается, конденсаторы С0 и Су оказываются включенными параллельно и происходит перераспределение заряда между ними. В результате на шине Y устанавливается напряжение Uпп fi 1 при считывании лог. [29]
 |
Содержимое по умолчанию регистров графического контроллера. [30] |
Страницы: 1 2 3 4