Режим - возврат - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
И волки сыты, и овцы целы, и пастуху вечная память. Законы Мерфи (еще...)

Режим - возврат

Cтраница 1


Режим возврата при Un U - ( токораспределе-нис по Белову, рис. 71 а и), когда часть электронов, пролетевших через сетку, поворачивает назад под действием тормозящего поля, существующего в промежутке сетка - анод. Эти электроны могут достичь катода лишь в том случае, если они будут падать на него почт перпендикулярно. Поскольку такая ситуация представляется довольно редкой, большая часть электронов будет испытывать многократные колебания около проводников сетки, прежде чем осесть на них.  [1]

Режим возврата характерен для случая, когда Ua Uc. В пространстве сетка - анод за счет возвращающихся к сетке электронов плотность электронного потока повышается.  [2]

Режим возврата для пентода обычно не является рабочим.  [3]

Режим возврата ( особенно при виртуальном катоде) для практического использования лампы неблагоприятен, так как при этом резко возрастает сеточный ток и работа лампы становится неэффективной.  [4]

Режим возврата АВМ в исходное состояние осуществляется или автоматически при многократном повторении решения, или нажатием на специальную кнопку. После возврата процесс решения может быть повторен.  [5]

В режиме возврата при изменении иа или ид2 изменяется высота второго потенциального барьера, что приводит к значительному изменению токов ia и 1д2 и коэффициента токораспределения. Например, при повышении иа второй потенциальный барьер понижается и многие электроны, пролетевшие экранирующую сетку, уже не возвращаются на нее и попадают на анод. Ток анода возрастает, а ток экранирующей сетки уменьшается и kT увеличивается.  [6]

В режиме возврата с увеличением U & анодный ток быстро возрастает, а ток / с падает, так как анодное поле сравнительно легко захватывает электроны, пролетевшие плоскость сетки. В режиме прямого перехвата анодный ток при увеличении Ua растет более медленно, главным образом из-за влияния анодного поля на пространственный заряд у катода; ток сетки остается почти неизменным. Величина коэффициента токораспределения определяется, в основном, соотношением поверхностей анода и сетки.  [7]

В режиме возврата наблюдается более сильная зависимость анодного тока от напряжения анода, чем в режиме прямого перехвата, так как анодное поле, воздействующее на электроны возврата, не ослабляется на этом участке экранирующей сеткой.  [8]

В режиме возврата плотность объемного заряда на участке экранирующая сетка - анод резко возрастает, возврат электронов к экранирующей сетке увеличивается. Из-за появления виртуального катода ток пентода с повышением напряжения управляющей сетки, достигнув некоторого максимального значения, начинает уменьшаться.  [9]

В режиме возврата увеличение анодного напряжения сопровождается значительным снижением высоты потенциального барьера у катода как из-за непосредственного влияния анодного напряжения, так и в результате уменьшения числа электронов, возвращающихся в околокатодную область.  [10]

11 Зависимости токов пентода от напряжения на аноде. [11]

В режиме возврата по мере увеличения анодного напряжения уменьшается число электронов, возвращающихся в околокатодную область, вследствие чего потенциальный барьер у катода снижается и катод1 ный ток возрастает.  [12]

В режиме возврата электронов ( область / /, рис. 8 - 3, а) небольшие изменения анодного напряжения приводят к резкому перераспределению катодного тока между анодом и экранирующей сеткой. Сильное влияние анодного напряжения на анодный ток в этом режиме можно объяснить воздействием анода на фиктивный катод, который образуется заторможенными электронами в промежутке между анодом и экранирующей сеткой.  [13]

Чтобы использовать режим возвратов в продукционных системах необходимо, во-первых, реализовать интерпретатор в виде РВ-программы, и, во-вторых, в набор команд продукционной системы ввести, как минимум, команду выработки сигнала неуспеха, для обозначения которой будем использовать слово ВОЗВРАТ. Кроме того, при организации режима возвратов следует учесть особенности перебора в продукционных системах, к рассмотрению которых мы и переходим.  [14]

15 Примеры конструкции ыногоэлектродных ламп. [15]



Страницы:      1    2    3    4