Режим - возврат
Cтраница 2
Переход от режима возврата к режиму прямого перехвата происходит поэтому почти для всех электронов при одинаковых соотношениях Uci / Ua. Это обстоятельство определяет резкий излом анодных характеристик в начале рабочего участка. [16]
Переход от режима возврата к режиму прямого перехвата может происходить при различных значениях Ua / Uc в зависимости от конструкции электродов лампы. [17]
 |
Семейство выходных харак-теристик пентода. [18] |
В области режима возврата выходные характеристики сливаются друг с другом, Объясняется это тем, что при увеличении напряжения кЧ1 одновременно с возрастанием тока iK усиливается объемный заряд между второй сеткой и анодом и снижается коэффициент а, в результате анодный ток ( 4 aiE) остается приблизительно постоянным. [19]
 |
Схемы питания экранирующей сетки через понижающий резистор ( а и с помощью делителя ( б. [20] |
Граница между режимами возврата и перехвата в разных лампах соответствует различным значениям отношения иа / и 2 ( обычно от 0 1 до 0 5) в зависимости от конструкции электродов и напряжений остальных сеток. [21]
Но в режиме возврата электроны, возвращающиеся к сетке С2, могут подходить близко к сетке С3 и проникать в область неоднородного поля. При таких условиях замена сетки С3 сплошным проводником, иными словами, введение в теорию понятия действующего напряжения в плоскости сетки С3 не обосновано п теория существенно осложняется. [22]
 |
Траектории электро - [ IMAGE ] - 8. Траектории электро нов в режиме прямого пере - нов в режиме возврата, хвата. [23] |
Поэтому в режиме возврата электронов небольшие изменения Uc или Ua приводят к значительно большим изменениям k - i. [24]
 |
К объяснению причины откло-нения экспериментально найденной гра-ницы области возврата от теоретической. [25] |
Теория токораспределения в режиме возврата находит себе применение в теории ламп с экранирующими сетками. С триодами, работающими в режиме возврата, за редким исключением, на практике не приходится встречаться. [26]
Коэффициент а в режиме возврата увеличивается, что ведет к сильному возрастанию анодного тока и уменьшению сеточного. [27]
На условия перехода от режима возврата к режиму перехвата влияют также конструктивные параметры сетки и плотность потока электронов. [28]
Поэтому такой режим называется режимом возврата или режимом отражательного токораспределения. Пред возрастание / а идет только за счет уменьшения количества электронов, прямо перехваченных сеткой. В этом режиме, носящем название режима прямого перехвата или режима пролетного токораспределения, ток / а растет медленно. В случае идеальной сетки, с бесконечно малыми ячейками из бесконечно тонких проволок, электроны вообще не будут отклоняться сеткой. [29]
Точный расчет токораспределения в режиме возврата, однако, оказывается очень сложным и приводит к громоздким и неудобным формулам. [30]
Страницы: 1 2 3 4