Режим - экспонирование
Cтраница 1
Режим экспонирования тот же, что и для обычных хромированных копировальных слоев на основе камеди сибирской лиственницы. Время экспонирования зависит от многих факторов и примерно находится в пределах 14 - - 18 минут для формы размером 64 х 72 см. Слой хорошо продубли-вается на всю глубину. [1]
 |
Отметки совмещения. [2] |
При выборе режимов экспонирования необходимо учитывать тип применяемых фотошаблонов. Одним из возможных путей устранения этого явления является оптимизация режимов экспонирования. [3]
Фотолитография тонких пленок, включая выбор фоторезиста, режимов экспонирования и проявления, выбор травителей и режимов химической обработки, требует индивидуальной технологии в зависимости от материалов пленки и подложки, толщины пленки, ее назначения и даже режимов ее напыления. [4]
США 4104072) описана компози дающая в зависимости от режима экспонирования негативное или позити изображение. На алюминиевую подложку наносят два слоя: нижний, воде творимый, состоит из диазосмолы, ПВС или ПВП, или полиакриламида, наносят из 50 % - ного водно-органнческого раствора; верхний, нераствори в воде, состоит из диазосмолы н эпоксисмолы нли полиуретана, полнэти оксида, кислого поливинилфталата и др. При полном фотолизе н обы1 обработках получают высокопрочное олеофильиое негативное изображение; использовании только от 3 до 15 % света, минимально необходимого для здания негатива, получают позитивное изображение, которое фиксируется полнительно сплошным фотолизом после проявления. [5]
США 4104072) описана композиция, дающая в зависимости от режима экспонирования негативное или позитивное изображение. На алюминиевую подложку наносят два слоя: нижний, водорастворимый, состоит из диазосмолы, ПВС или ПВП, или полиакриламида, его наносят из 50 % - ного водно-органического раствора; верхний, нерастворимый в воде, состоит из диазосмолы и эпоксисмолы или полиуретана, полиэтилен-оксида, кислого полившшлфталата и др. При полном фотолизе и обычных обработках получают высокопрочное олеофильное негативное изображение; при использовании только от 3 до 15 % света, минимально необходимого для создания негатива, получают позитивное изображение, которое фиксируется дополнительно сплошным фотолизом после проявления. [6]
Рассмотренные закономерности позволяют найти связь технологических параметров процесса фотолитографии ( режимов экспонирования и проявления, концентрации проявителя) с точностью воспроизведения геометрических размеров элементов и с предельными возможностями фоторезистов. [7]
Микросхема представляет собой интерфейсный элемент систем управления фотоаппаратурой ( устройство задания режимов экспонирования) и предназначена для выработки синхросигнала и формирования сигналов управления. [8]
Ошибки в технологическом процессе могут возникнуть по многим причинам - это и погрешности вывода фотошаблонов, и ошибки в режимах экспонирования и совмещения, при проявлении фоторезистного профиля и травлении рельефа. [9]
Ошибка, вносимая в процессе фотолитографии, обусловлена неточностями, возникающими при изготовлении фотошаблонов, размерными ошибками проявленного изображения, связанными с режимом экспонирования, размерными ошибками, возникающими при травлении оксида кремния, неточностями совмещения фотошаблонов с подложкой. [10]
Обращает на себя внимание тот факт, что фоторезисты на основе поливинилциннамата ( KPR-2) обладают большей стабильностью своих параметров ( светочувствительностью) при изменении внешних режимов экспонирования, нежели фоторезисты на основе циклокаучука и бис - азидов. Следовательно, условия экспонирования, сохранение закона взаимозаместимости, светочувствительность определяются во многом типом протекающих при облучении пленок фотохимических процессов. [11]
Увеличение клина проявления фоторезиста приводит к увеличению искажения геометрии резисторов при травлении. Клин же проявления является функцией оптимизации режимов экспонирования и проявления. [12]
 |
Отметки совмещения. [13] |
При выборе режимов экспонирования необходимо учитывать тип применяемых фотошаблонов. Одним из возможных путей устранения этого явления является оптимизация режимов экспонирования. [14]
 |
Схема растрового осветителя. / - зеркальный рефлектор. 3 - лампа. 3 - тепловой фильтр. 4 - конденсор. 5, б - система растровых линз. 7, 8 - линза. 9 - фотошаблон. [15] |
Страницы: 1 2