Режим - экспонирование
Cтраница 2
По числу растровых линз в плоскости фотошаблона 9 получается перемешивание 69 световых пятен. Устраняется влияние непостоянства положения светящейся плазмы в ртутной лампе типа ДРШ на воспроизводимость режима экспонирования. [16]
 |
Распределение интенсивности освещенности. а, б, в - линзовая коллимация. г - дистанционная коллимация. [17] |
Облучение пленок фоторезистов через фотошаблон вызывает появление в них скрытых изображений, выражающееся в локальном изменении их физико-химических параметров и в первую очередь растворимости. Возникновение скрытого изображения и последующее его превращение в видимое зависит от оптимально выбранного соотношения режимов экспонирования и проявления, при котором формируется наиболее точное изображение и достигается максимальная разрешающая способность. Это соотношение в свою очередь зависит при прочих равных условиях от свойств фоторезиста, а именно, его светочувствительности, области актинично-го поглощения, кинетики протекания фотохимических процессов. [18]
И, наконец, как уже отмечалось выше, большое значение при воспроизведении элементов схем играет отражение света от материалов подложки. Многообразие применяемых в пленочной технологии материалов, различие их коэффициентов отражения определяет тот факт, что нельзя автоматически переносить режимы экспонирования для одного и того же фоторезиста, нанесенного на различные материалы ( см. гл. [19]
Светочувствительность фоторезистов зависит при прочих равных условиях от квантового выхода фотохимических реакций. В этом плане истинная светочувствительность покрытий характеризуется относительным количеством функциональных групп, подвергшихся фотолизу. Однако и этот метод является только предпосылкой для оценки всего комплекса свойств фоторезистов, связанных с их светочувствительностью, тем более что технолога интересуют не столько абсолютные значения светочувствительности ( вычисленные по одной из методик), характеризующие воспроизводимость свойств отдельных партий материала, а то, как этот параметр будет воспроизводиться в конкретных производственных условиях при оптимизации режимов экспонирования. Как показывает практика, выбор оптимальных режимов экспонирования зависит не только от исходной светочувствительности фоторезистов, но и от условий формирования пленок, интенсивности освещения, типа подложки и фотошаблона, режимов проявления. В этом плане представляет интерес изучение взаимосвязи светочувствительных характеристик фоторезистов с условиями высокоточного воспроизведения геометрических размеров элементов схем. [20]
Страницы: 1 2