Режим - выращивание
Cтраница 2
 |
Аппарат для радиационного обезвреживания осадков сточных вод. [16] |
Важнейшее значение при использовании биомассы избыточного активного ила имеет поддерживание постоянного состава, что достигается в ряде случаев стабилизацией режима выращивания. Последнее обусловлено удельной нагрузкой на очистные сооружения, а также присутствием вредных примесей. [17]
Таким образом, основные результаты изучения наземных альтернатив микрогравитации на модели метода Чохральского состоят в том, что для некоторых наземных режимов выращивания монокристаллов GaAs под флюсом ( что означает теплоизоляцию поверхности расплава и возможность пренебрежения термокапиллярным эффектом благодаря оксидной пленке на поверхности расплава) возможна стабилизация колебаний за счет уменьшения оборотов тигля. Такой эффект может быть получен при уменьшении силы тяжести на 2 - 3 порядка. В работе [3] рассмотрены и другие способы уменьшения колебаний, альтернативные микрогравитации, например, уменьшение колебаний температуры, обусловленное изменением во времени мощности нагревателя. [19]
 |
Типичный температурный режим выращи-вания кристаллов аптпмопида индия ( индиевая ветвь. [20] |
Таким образом, эксперименты делают возможным описание реальных процессов выращивания с помощью темповых характеристик, учитывающих особенности взаимодействия компонентов как при режимах выращивания, сравнительно близких к равновесным, так и при режимах с большими скоростями кристаллизации. Очевидно, полученные результаты можно распространить также на случай, когда задан определенный закон изменения скорости кристаллизации во времени. Имея данные о морфологии выращиваемых кристаллов, нетрудно учитывать степень мерности для каждого конкретного процесса с помощью введения соответствующих слагаемых для одно -, дву - и трехмерного роста с определенными удельными весами. [21]
 |
Схема установки выращивания монокристаллов вытягиванием из расплава в гарнисаже. [22] |
Так могут быть получены монокристаллы гранатов объемом в несколько кубических сантиметров, однородность свойств которых и кристаллическое совершенство значительно зависят от состава и режима выращивания. Наиболее эффективна ЖФЭ, так как наносимые этим методом пленки могут быть разных составов и имеют чрезвычайно низкую и даже нулевую плотность де-фектсш. Кроме того, их характеристики легко контролируются и воспроизводятся. [23]
Так как вероятность концентрационного переохлаждения при кристаллизации из расплава в условиях значительного содержания легирующей примеси в системе расплав - кристалл весьма велика, то при этом требуется тщательный подбор режимов выращивания монокристалла. [24]
Время жизни н.н.з. является параметром, косвенно характеризующим чистоту монокристалла ( наличие различных примесей, являющихся центрами рекомбинации), его структурное совершенство, величину внутренних напряжений в кристаллической решетке и др. Поэтому на величину времени жизни н.н.з. оказывают влияние режимы выращивания монокристаллов кремния, в частности атмосфера внутри камеры, а также последующая термическая обработка. [25]
Трещину в образце выращивают из устья узкой щели при циклическом нагружении образца. Режим выращивания и длина трещины должны соответствовать определенным требованиям, обеспечивающим получение достоверных значений характеристики. [26]
Режим выращивания гриба для больших и малых колб одинаков. [27]
Карьерно-котлованные наливные водоемы относятся к водоемам многолетнего регулирования. Режим выращивания рыбы, плотность посадки ее связаны с продолжительностью ледостава и газовым составом воды. В торфяных карьерах летние заморы - частое явление, поэтому рыба, требующая высокого содержания кислорода ( осетровые, лососевые, сом и др.), для таких категорий водоемов непригодна. [28]
Режим выращивания гриба для больших и малых колб одинаков. [29]
Изменение всех этих условий меняет не только скорость роста пленки, но и степень ее структурного совершенства, чистоту и характер легирования пленки примесью из подложки. Поэтому выбор режимов выращивания может оказаться весьма критичным. Так, уменьшение температуры роста может повысить чистоту пленки, но ухудшит ее структурное совершенство. В то же время в какой-то степени структурные свойства пленки можно регулировать независимо, меняя скорость ее роста. [30]
Страницы: 1 2 3