Режим - выращивание
Cтраница 3
В работе [15] описана методика выращивания кристаллов из водного раствора. Была реализована попытка осуществить режим выращивания при некотором постоянстве скорости кристаллизации. С этой цел зло периодически корректировалось пересыщение раствора по результатам измерений размеров растущих кристаллов. [31]
Анализ результатов изучения изменения формы фронта кристаллизации позволяет установить оптимальные режимы выращивания для обеспечения требуемого фронта кристаллизации. Таким образом, управляя режимом выращивания и примесным составом кристаллов, можно добиться получения монокристаллов кремния с заданным распределением УЭС как в осевом, так и в радиальном направлениях. [32]
Изучено распределение доноров и акцепторов по глубине эпитаксиалышх слоев арсе-нида галлия, полученных методом жидкостной эпитасии из раствора галлия. Исследованные профили распределения сопоставляются с режимами выращивания, материалом и термообработкой подложки. Изучено влияние различных режимов подтравливания подложки на элетрофизические свойства слоев. Делается предположение о взаимосвязи фоновых акцепторных состояний с собственными дефектами. [33]
Для получения равномерного распределения примеси по длине монокристалла необходимо очень точно выдерживать направление подачи и количество подаваемого легирующего вещества в зону расплава. Большое влияние на воспроизводимость легирования оказывают режимы выращивания, форма и объем камеры выращивания. Хороших результатов удается добиться при разработке и использовании калибровочных графиков и таблиц индивидуально для каждой установки. [34]
Появление микродвойников в эпитаксиальных пленках CdTe на слюде при использованных режимах выращивания может свидетельствовать о том, что структура сфалерита, так же как л алмазоподобная структура, предрасположена к двойникованию. При простом двойниковании отклонение от нормальной связи в такой структуре начинается лишь с третьей координационной сферы, поэтому различие энергий нормальной и двойниковой конфигураций очень небольшое. [35]
На рис. 69, а представлена схема нагревателя наиболее распространенного в практике получения монокристаллов германия. В процессе работы с ним было замечено, что чем глубже тигель погружался в нагреватель, тем режим выращивания становился более неустойчивым. [36]
Известно, что для карбида кремния характерно образование при кристаллизации множества близких по своим параметрам кристаллических структур. Как показали эксперименты, рост той или иной структуры SiC иногда зависит даже от незначительных колебаний различных факторов, определяющих режим выращивания. Оптические и электронографические исследования, проведенные на усах карбида кремния [2], показали сложность строения таких кристаллов, которая выражается в наличии комбинаций сросшихся моно - и поликристаллических участков, в существовании большого числа дефектов упаковки, а также характерных глобулярных наростов. [37]
Однако существенным недостатком указанных работ, по нашему мнению, является тот факт, что при этом не обращается внимание на низкотемпературный источник образования данного типа дефектов. Хотя разрушение, как уже упоминалось, очень часто происходит именно при низкотемпературной обработке или после ее проведения ( скрайбирование, резка, шлифовка, полировка, термокомпрессия контактов и др.), все авторы, как правило, считают причиной его именно высокотемпературные процессы - режим выращивания, отжиги и пр. Не отрицая важную роль этих процессов в природе появления данных дефектов, однако необходимо учитывать тот факт, что именно силовые низкотемпературные воздействия ( особенно циклические - резка, шлифовка, полировка) могут, во-первых, в существенной мере трансформировать спектр ростовых и высокотемпературных кластеров ( увеличивать, например, в размерах один тип дефектов и уменьшать другой) и, во-вторых, создавать дополнительно свой чисто деформационный спектр, который в ряде случаев в зависимости от технологических режимов низкотемпературной обработки может даже существенно превосходить по своему отрицательному влиянию на механические и электрические свойства материала спектр исходных дефектов в материале. Таким образом, для решения указанной проблемы необходимо учитывать не только высокотемпературный канал возникновения данных дефектов, но и низкотемпературный, на который, к сожалению, в настоящее время не обращается серьезного внимания. [38]
Исследования [27] свидетельствуют о связи температурного коэффициента скорости роста ряда микроорганизмов ( грам-иоложительные и грам-отрицательные бактерии, кокки, актиномицеты) с нуклеотидным составом их суммарной клеточной РНК, состоящей на 80 % из рибосомальной РНК - Прослежена также тесная связь между содержанием в клетках рибосом и скоростью роста микроорганизма, а также скорости синтеза рибосом со скоростью синтеза белка. При этом было четко показано, что изменение скорости синтеза общего белка клетки определяется не изменением скорости образования полипептидной цепочки, которая остается практически постоянной для каждого вида микроорганизма и условий культивирования, а определяется - изменением числа рибосом в соответствии со скоростью роста клетки в различных фазах или с изменением состава питательной среды и режимов выращивания. [39]
Убедительно подтвердилась гипотеза о том, что гранями 110 и 211 монокристалл оформляется при минимальном переохлаждении. Справедливым оказался и вывод, что для оформления монокристалла гранями 111 необходимо относительно большое переохлаждение расплава. При этом оптимизация режимов выращивания бездислокационных монокристаллов практически сводится к воспроизведению вышеуказанных форм их роста. [40]
Для кристалла 1 ( см. рис. 3) пол-ностью выполняется условие ( 5), и поэтому связанная с эффектом оплавления неоднородность распределения примеси не проявляется. Для кристалла 2, по-видимому, выполняется условие У УС, а следовательно, в нем также не проявляется эффект оплавления. Кристалл 3 выращен в условиях vtWA, и эффект оплавления проявляется в нем незначительно. Режим выращивания кристалла 4, по-видимому, не соответствует условию ( 6), и радиальная неоднородность распределения примеси в нем самая большая. [42]
Первая операция приводит к образованию четкой текстуры, которая поглощается одним или несколькими кристаллами в процессе нагревания и выдержки в вакууме. Очень быстрое нагревание в ходе этой операции приводит к образованию двойников. В кристаллах меди, выращенных и отожженных при оптимальных условиях, субграницы по методу Шульца ( см. разд. В табл. 4.1 приводятся дополнительные данные о режиме выращивания кристаллов меди. [43]
 |
Схема установки для выращивания монокристаллов методом Чохральского. [44] |
К материалам, идущим на изготовление полупроводниковых приборов ( германию, кремнию, сурьмянистому индию и др.), предъявляется ряд специфических требований. Во-первых, содержание примесей в них должно быть очень небольшим и строго контролируемым и, во-вторых, они должны обладать монокристаллической структурой. Второе требование обусловлено тем, что границы между отдельными зернами в поликристаллических полупроводниках оказывают сильное влияние на движение носителей заряда, вызывают неконтролируемые изменения в потоках электрических зарядов и резко ухудшают работу приборов. Однако и монокристалл может иметь множество внутренних нарушений, если не создать надлежащих условий при его выращивании. Эти условия определяются выбором метода и режимов выращивания. [45]
Страницы: 1 2 3