Импульсный режим - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Если ты закладываешь чушь в компьютер, ничего кроме чуши он обратно не выдаст. Но эта чушь, пройдя через довольно дорогую машину, некоим образом облагораживается, и никто не решается критиковать ее. Законы Мерфи (еще...)

Импульсный режим

Cтраница 3


31 Осциллограммы напряжения коллектор - эмиттер и тока коллектора мощного транзисторного ключа при остановке двигателя. [31]

Импульсный режим данной системы осуществляется с помощью мультивибратора ( транзисторы Т10 и Т ц), импульсы которого вводят транзистор предварительного усилителя либо в полное насыщение, либо в режим отсечки.  [32]

33 Напряжение на нагрузке во втором импульсном режиме.| Напряжение на нагрузке в третьем импульсном режиме. [33]

Второй импульсный режим, в котором осуществляется питание нагрузки прямоугольным переменным напряжением. Импульсы напряжения чередующейся полярности следуют непрерывно.  [34]

Третий импульсный режим, в котором осуществляется питание нагрузки прямоугольным переменным напряжением. Данный режим имеет практическое значение при 7 Т2, когда постоянная составляющая напряжения на нагрузке равна нулю и осуществляется регулирование мощности первой гармоники в L - нагрузке.  [35]

36 Определение параметров импульсного режима транзисторов с помощью выходных характеристик. [36]

Рассмотрим импульсный режим транзистора с помощью его выходных характеристик для схемы ОЭ. Пусть в цепь коллектора включен резистор нагрузки RK. Соответственно этому на рис. 6 - 8 построена линия нагрузки. До поступления на вход транзистора импульса входного тока или входного напряжения транзистор находится в запертом состоянии ( в режиме отсечки), что соответствует точке TI. Напряжение источника Е2 почти все полностью приложено к транзистору.  [37]

Формирование импульсного режима достигается действием обратных связей, управляющих посредством релейных элементов частотой и длительностью включения и противо-включения ( или отключения) быстродействующих возбудителей.  [38]

39 Метод активной стабилизации ( АС для непрерывного СО2 - лазера ( / 0 - центральная частота линии излучения СО2 - лазера. vc - частота синусоидального сигнала, подаваемого на ПП. G. и 62 - фазы сигналов расстройки. [39]

Для импульсного режима стабильность характеристик СО2 - ла-зера - это повторяемость импульса по форме и амплитуде.  [40]

Реализация импульсного режима закачки газа с оторочкой раствора ПАВ позволяет в 2 - 3 раза увеличить гаэонасыщенность низкопроничаемых слоев, тогда как степень осушки высокопронимаемого слоя в этом случае ниже, чем при режиме монотонной подачи газа при постоянном давлении вследствие образования слоя высоковяэкой пены, препятствующей поступлению газа в высокспронииаем й слой и способствующей движении газа в низкопроницаемые пропластки.  [41]

Длительность импульсных режимов точечной сварки составляет десятые, сотые и даже тысячные доли секунды. При таких условиях до 95 % всего тепла, выделяющегося за счет полного сопротивления контакта, идет на расплавление ядра сварной точки. Таким образом, расчеты импульсных режимов вполне рационально вести, пренебрегая тепловыми потерями в электроды и в массу металлических листов, окружающих расплавленное ядро. Воспользуемся этим фактом для того, чтобы возможно более полно выяснить основные взаимосвязи между всеми показателями режимов сварки.  [42]

Реализация различных импульсных режимов регулирования мощности требует вполне определенной структуры выходного каскада усилителя независимо от принципа действия и схемы устройства управления силовыми транзисторами. Практическое значение имеют следующие три схемы оконечных каскадов.  [43]

Благодаря импульсному режиму и значительным форсировкам система Г - Д приближается по быстродействию к системе УСП-Д и обладает тем свойством, что в замкнутой системе средние значения регулируемых параметров на всех участках переходных процессов изменяются по периодическому закону, но с: изменяемой постоянной времени регулирующего контура.  [44]

Благодаря импульсному режиму токов молнии действительные сопротивления растеканию обычно несколько меньше табличных.  [45]



Страницы:      1    2    3    4    5