Импульсный режим
Cтраница 4
 |
Зависимость крутизны от густоты сетки. [46] |
В импульсном режиме могут быть получены анодные токи, во много раз большие, нежели в режиме непрерывной работы. Импульсный режим достигается подачей на анод и сетку кратковременных повышенных напряжений. Для импульсного режима пользуются анодными характеристиками, снятыми при определенной длительности импульса ти и частоте / импульсов. Увеличение ти и / вызывает уменьшение анодного и сеточного токов вследствие отравления катода. [47]
В импульсном режиме существенным оказывается материал керна. [48]
 |
Входная характеристика транзистора, работающего в области отсечки.| Передаточная характеристика транзистора, работающего в области отсечки. [49] |
В импульсном режиме для характеристики переходных процессов, помимо зарядных емкостей коллекторного Сн п и эмиттерного Сэ переходов, используются еще следующие параметры: т и t AN - среднее время пролета носителей через область базы и собственное время задержки транзистора при нормальном включении; тр и тр / - постоянные времени коэффициентов передачи тока базы pw и р /; тн - постоянная времени накопления; Скд - диффузионная емкость коллектора. [50]
 |
Эквивалентная схема. [51] |
В импульсном режиме существенную роль играют паразитные меж-влектродные емкости: затвор - сток Сас, затвор-исток Сзи, сток - исток Сси, подложка - исток Спи и подложка - сток Спс. [52]
В импульсном режиме значительно повышается также электрическая прочность вакуума ламп и деталей, что позволяет увеличивать анодное напряжение до нескольких десятков тысяч вольт. Поэтому импульсные лампы могут отдавать большие мощности, имея относительно небольшие размеры. [53]
В импульсном режиме диоды допускают токи до 50 а длительностью импульса до 10 мксек при астоте повторения f - 3000 щ и температуре корпуса до 75 С. [54]
В импульсном режиме работа допускается при длительности импульсов от 0 1 до 500 мксек при частоте повторения от 10 гц до 20 кгц и средней мощности не более 10 % от номинальной. [55]
 |
Энергетические уровни гелия и неона. [56] |
В импульсном режиме пиковая мощность составляет несколько сотен ватт. [57]
В импульсном режиме средняя излучаемая пьезопреобразователем мощность W0 будет равной: W0WnrnFc, где Wu - мощность в импульсе; тп - длительность импульса; РСЛ. [58]
В импульсном режиме возможно построение многоканальных схем, при этом уменьшается расход э ершд-да п риведение в действие исполнительного устррйства. [59]
При импульсном режиме используют отдельные разделенные во времени сигналы, появляющиеся на выходе детектора после каждого попадания в него отдельной ядерной частицы или фотона. Поэтому дискретный регистратор обычно состоит из пересчетного устройства, обеспечивающего счет импульсов за определенный промежуток времени. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5