Cтраница 1
Вершины выходных импульсов находятся в окрестности нулевого уровня. [1]
Вершина выходных импульсов имеет спад, значение которого зависит как от постоянной времени цепи, так и от скважности приходящих импульсов. [2]
Формирование вершины выходного импульса заканчивается. [3]
![]() |
Форма входного и выходного импульсов. [4] |
Формирование вершины выходного импульса происходит медленно, так как медленно изменяются токи и напряжения в трансформаторе. [5]
![]() |
Форма импульса коллекторного тока транзистора в режиме насыщения. [6] |
Второй участок вершины выходного импульса начинается в момент начала формирования спада входного сигнала. В процессе накопления концентрация неосновных носителей в базе возрастает по экспоненциальному закону, приближаясь к некоторому предельному значению, входным сигналом и временем жизни. [7]
Такие однократные отклонения вершины выходных импульсов от нулевого уровня допустимы. [8]
Во время формирования вершины выходного импульса заторможенным релаксатором, образованным туннельным диодом Д, индуктивной катушкой L и резистором R, напряжение на базе транзистора к6 превышает напряжение отсечки ео6 входной характеристики транзистора. [9]
Такие однократные отклонения вершины выходных импульсов от нулевого уровня допустимы. [10]
Если длительность импульса т 38lt то вершина первого выходного импульса за это время спадает до нуля. Конденсатор С первым же входным импульсом заряжается до амплитудного значения сигнала Um. Левая обкладка конденсатора ( см. рис. 3.65) положительна, правая - отрицательна. [11]
Если длительность импульса т 30i, то вершина первого выходного импульса за время воздействия входного сигнала спадает до нуля. Конденсатор С первым же входным импульсом заряжается до амплитудного значения сигнала Um. Левая обкладка конденсатора ( см. рис. 3.59) положительна, правая - отрицательна. Конденсатор С начинает разряжаться через резистор R и выходное сопротивление источника импульсов Rt с постоянной времени 2 C ( Rt - f R) CR. Постоянная времени разрядки вг велика вследствие большого сопротивления резистора R: 62 Т - т, где Т - период повторения импульсов. [12]
Подбор параметров усилителя осуществляют исходя из допустимой деформации фронта и вершины выходного импульса по сравнению с входным импульсом. [13]
![]() |
Закон изменения волнового сопротивления трансформирующей линии.| Характеристика спада вершины трансформируемого импульса. [14] |
Если на вход линии подается импульс прямоугольной формы, то вершина выходного импульса всегда оказывается спадающей. [15]