Вершина - выходной импульс
Cтраница 3
 |
Эквивалентная схема каскада в области больших времен ( низших частот. [31] |
Положим сначала С2 сю, Съ - оо и выясним роль Cj. В дальнейшем Сг заряжается и входной ток, а значит, и выходные величины уменьшаются. Получается спад вершины выходного импульса. [32]
 |
Положение рабочей точки на характеристиках транзистора ( а и импульсный усилитель с корректирующей индуктивностью ( б. [33] |
Однако наряду со стабилизацией положения рабочей точки R3 приводит к уменьшению коэффициента усиления всех составляющих входного сигнала. Действительно, если теперь к базе подвести перепад напряжения, то происходит быстрое нарастание базового и коллекторного токов, так как напряжение на Сэ скачком измениться не может и сохраняет в начальные моменты времени свое значение. С зарядом конденсатора Сэ напряжение на коллекторе уменьшается, что приводит к спаду вершины выходного импульса. [34]
Отрицательный импульс со сформированным передним фронтом, распространяясь по полосковой линии, достигает короткозамыкателя, отражается и возвращается в виде положительного перепада к началу линии. Здесь происходит сложение отраженной и падающей волн, в результате чего формируется длительность и задний фронт выходных импульсов. Наряду с основным отрицательным импульсом в линии происходит формирование положительного импульса, длительность которого равна длительности отрицательного импульса. Диоды Д36, Д37 ограничивают амплитуду положительного импульса и вместе с диодом ДЗЗ уменьшают его воздействие на формирование выходного импульса. Диод Д45 совместно с потенциометром R140 служит для ограничения амплитуды и уменьшения выбросов на вершине выходных импульсов. [35]
После лавинного запирания транзистора отрицательное напряжение на конденсаторе поддерживает транзистор в запертом состоянии. Когда напряжение на эмиттере превысит нулевой уровень и повысится до е б, транзистор снова переходит в активный режим и начинается лавинный процесс его включения. В данной схеме в перезарядке конденсатора С участвует не ток / ко, а обратный ток запертого эмиттерного перехода / эо, который при использовании несимметричных биполярных транзисторов в несколько раз меньше, чем / ко. Нестабильность величины / эо в силу малости этого тока меньше сказывается на стабильности зарядного тока. Стабильность частоты колебаний повышается. Другим недостатком является резкий спад вершины выходного импульса блокинг-генератора. [36]
С СВЬ Х СМ СВХ, свь [ Х - выходная емкость лампы, См - паразитная емкость монтажных проводов относительно земли, Свх-входная емкость последующего каскада. Отношение S / 2nC характеризует усилительную способность лампы при широкополосном усилении; его также называют широкополосностью лампы. При практически реализуемых миним. Мгц; если же требуется полоса 10 Мгц, то коэфф. Мгц, их отличит, особенностью являются малые коэфф. Для создания общего большого усиления приходится составлять У. Для увеличения произведения К ( ъ широко используется коррекция переходной хар-ки У. Вместе с сопротивлением нагрузки Ла и емкостью ССкн - - Сы - - Се она образует паралл. Значение Q0 5 соответствует режиму перехода контура от апериодич. Если Q0 5, па вершине выходного импульса появляется выброс. [37]
Страницы: 1 2 3