Плоская вершина

Cтраница 2

Длительность плоской вершины импульса tn зависит от продолжительности работы транзистора в области насыщения, которую можно регулировать, изменяя скорость спада тока базы, выбрав соответствующей величины емкость хронирующего конденсатора С. [16]

Перекос плоской вершины импульса является критерием прохождения низкочастотных составляющих сигнала. Колебательный выброс характеризуется отношением амплитуды выброса к амплитуде прямоугольного неискаженного импульса. [17]

Импульсный усилитель. [18]

Спад плоской вершины импульса обусловлен снижением коэффициента усиления на низких частотах. Частота / и зависит от емкостей разделительных и блокировочных конденсаторов. Поэтому в импульсных усилителях эти конденсаторы имеют большие емкости, чем в усилителях гармонических колебаний. [19]

Форма плоской вершины трансформируемого импульса зависит от передачи низкочастотных составляющих спектра к нагрузке. Поэтому при передаче вершины можно считать, что на ин-дуктивностях Ls, включенных последовательно с нагрузкой, напряжение не падает, а емкость С0 не шунтирует нагрузку. Спад плоской вершины обусловливается индуктивностью Lx. На низких частотах ее сопротивление становится небольшим, так что напряжение между точками 1 - 2, передаваемое дальше к нагрузке, уменьшается. [20]

Форма плоской вершины трансформируемого импульса зависит от передачи к нагрузке низкочастотных составляющих спектра. [21]

Причиной искажения плоской вершины Рис 94 Искажения импульса является наличие разделитель-формы прямоугольного ного конденсатора. [22]

Стадия формирования плоской вершины Начинается в момент времени t ( см. рис. 7.2), когда транзистор переходит в область насыщения и перестает управляться базовым током. При этом регенерация прекращается и начинает формироваться плоская вершина импульса. [23]

Этап формирования плоской вершины импульса сменяется обратным регенеративным процессом, по завершении которого транзистор попадает в область отсечки. [24]

Для получения плоской вершины импульса транзистор должен находиться в насыщении до полного открывания диода в мосте. [25]

Результирующее искажение плоской вершины импульса Д Лс Аэ - Дкор. [26]

Определим спад плоской вершины импульса за счет цепей связи. [27]

Искажение формы прямоугольного импульса реостатным усилителем. [28]

Причиной искажения плоской вершины импульса является наличие разделительного конденсатора Сс. [29]

Искажения формы прямоугольного импульса. [30]

Страницы: 1 2 3 4