Плоская вершина

Cтраница 3

Причиной искажения плоской вершины импульса является наличие разделительного конденсатора Сс. На участке тп ( рис. 138, б) уменьшение выходного напряжения обусловлено тем, что происходит заряд и увеличение напряжения на конденсаторе Сс. Чем больше постоянная времени цепи заряда этого конденсатора, тем, медленнее происходит его заряд и меньше спад плоской части импульса. [31]

Физически спад плоской вершины усиливаемых импульсов в трансформа-горном каскаде объясняется тем, что нарастающий по экспоненциальному закону во время прохождения плоской вершины импульса ток первичной обмотки стремится к установившемуся значению, определяемому активным сопротивлением цепи. [32]

Физически спад плоской вершины усиливаемых импульсов в трансформаторном каскаде объясняется тем, что нарастающий по экспоненциальному закону во время прохождения плоской вершины импульса ток первичной обмотки стремится к установившемуся значению, определяемому активным сопротивлением цепи. Поэтому напряжение на вторичной обмотке трансформатора, пропорциональное противоэлектродвижущей силе первичной обмотки, а следовательно, и первой производной тока первичной обмотки по времени, падает по закону (5.70), стремясь к нулю при неограниченном увеличении времени. [33]

Действие на плоскую вершину импульса конденсатора Ск в цепи катода подобно действию конденсатора Сэ в эмиттерной цепи транзистора. Аналогична и зависимость величины спада от крутизны электронного прибора и емкости конденсатора ( ср. [34]

Осцилляции на плоской вершине импульса Л0 часто появляются в широкополосных осциллографах с усилителями с распределенным усилением и могут быть обусловлены, например, неполным согласованием коллекторной и эмиттерной линий. Такой же эффект возникает в стробоскопических осциллографах из-за отражения от неоднородностей в линии передачи от источника сигнала к преобразователю. При стробоскопическом преобразовании могут возникнуть специфические искажения из-за прямого прохождения сигнала, а также неоптимальной настройки преобразователя со схемой памяти. [35]

Импульсы с плоской вершиной и величиной, близкой к Ек, получаются в этих схемах только на коллекторе полупроводникового триода; в других цепях их форма может существенно отличаться от прямоугольной. [36]

Профиль с плоской вершиной характерен для венцов зубьев, работающих при отрицательном тангенциальном скольжении относительно забоя. При нулевом и положительном скольжении вершины зубьев скругляются. Износ с приострением свидетельствует о работе зубьев венца след в след с образованием на забое устойчивых выступов и впадин, называемых забойной рейкой. [37]

В ламповых каскадах плоская вершина импульса дополнительно искажается за счет конденсатора Сэ в цепи экранирующей сетки. [38]

Аэ - спад плоской вершины, отведенный при расчете на цепь экранирующей сетки. [39]

В стадии формирования плоской вершины магнитный поток нарастает линейно. Так же изменяется и ток намагничивания, который за время ta формирования плоской вершины нарастает, по существу, от нуля до максимального значения / Мгаах. [40]

На стадии формирования плоской вершины переходный процесс определяется постоянной времени накопления т, которая характеризует продолжительность установления рекомбинации носителей заряда, и временем перезаряда паразитных емкостей. В ключе на биполярном транзисторе эта стадия начинается после насыщения транзистора. В диодных ключах эта стадия начинается тогда, когда прекращается изменение управляющего сигнала. В ключевых элементах на униполярных транзисторах стадия формирования плоской вершины наступает после того, как транзистор начинает работать в крутой области вольт-амперной характеристики. Длительность времени установления определяется временем перезаряда паразитных емкостей. [41]

Во время действия плоской вершины импульса в цепи протекает ток установившейся величины и напряжение на катушке, активным сопротивлением которой можно пренебречь, равно нулю. [42]

Далее начинается формирование плоской вершины импульса. На этом этапе происходит накопление носителей в базе, но затем, по мере уменьшения тока базы, накопление прекращается и начинается рассасывание избыточных носителей. Наконец, в момент времени tt транзистор выходит из области насыщения, восстанавливаются его усилительные свойства и начинается формирование среза импульса. К этому моменту укорачивающий конденсатор успевает зарядиться настолько, что напряжение на нем почти полностью компенсирует действие входного сигнала. При этом величина тока в основном определяется напряжением источника смещения, которое стремится запереть транзистор. Таким образом, длительность выходного импульса практически определяется продолжительностью нахождения транзистора в области насыщения. Это время рассчитывается из уравнения для заряда избыточных носителей в базе, накопленных непосредственно у коллекторного перехода. [43]

Одновременно уменьшается спад плоской вершины импульса. [44]

Частотная и фазовая характеристики электронной лампы с цепочкой CKRK в цепи катода. [45]

Страницы: 1 2 3 4