Cтраница 1
Полупроводниковые резисторы имеют в качестве чувствительного элемента монокристаллический полупроводник толщиной 20 - 50 мкм, шириной до 0 5 мм, длиной 2 - 12 мм. При изготовлении тензорезистора монокристалл полупроводника режут и подвергают травлению для устранения микротрещин от механической обработки. [1]
Вольт-амперная характеристика и условное графическое изображение варистора.| Характеристики терморезистора. [2] |
Полупроводниковые резисторы, обладающие нелинейными свойствами, называются вариаторами. Основным материалом для варисторов служит порошок карбида кремния ( SiC) с каким-либо связующим веществом. Нелинейность сопротивления объясняется главным образом нагревом микроконтактов между зернами карбида кремния. Внешне варисторы оформляются в виде стержней или дисков. На рис. 8 - 13 показаны вольт-амперная характеристика варистора и его изображение на схемах. [3]
Полупроводниковые резисторы характеризуются большим положительным ТК. Температурная зависимость сопротивления обусловлена двумя процессами - генерацией носителей заряда и уменьшением подвижности их с ростом температуры. [4]
Полупроводниковые резисторы в зависимости от назначения называют терморезисторами, варисторами и фоторезисторами. [5]
Условные обозначения полупроводниковых резисторов на принципиальных радиосхемах. [6] |
Полупроводниковые резисторы - широкий класс приборов, принцип действия которых основан на свойствах полупроводниковых материалов изменять свое сопротивление под действием температуры, электрического напряжения, электромагнитного излучения. [7]
Полупроводниковые резисторы получают методом диффузии. Они представляют собой прямоугольный слой изолированного полупроводникового материала, на концах которого имеются алюминиевые выводы. [8]
Полупроводниковые резисторы в зависимости от назначения называют терморезисторами, веристорами и фоторезисторами. [9]
Полупроводниковые резисторы, сопротивление которых сильно зависит от температуры внешней среды, называются терморезисторами. Различают jepMoрезисторы с положительным и отрицательным температурным коэффициентом сопротивления. [10]
Полупроводниковые резисторы изготовляют одновременно с активными элементами. Они обычно выполняются в виде прямоугольного слоя полупроводника при базовой диффузии и называются диффузионными. В таких резисторах используется объемное сопротивление материала, имеющего определенную степень легирования. [11]
Полупроводниковые резисторы представляют обширный класс полупроводниковых приборов, принцип действия которых основан на свойствах полупроводников изменять свое сопротивление под действием температуры, электромагнитного излучения, приложенного напряжения и других факторов. [12]
Полупроводниковые резисторы, сопротивление которых сильно зависит от температуры внешней среды, называются терморезисторами. Различают терморезисторы с положительным и отрицательным температурным коэффициентом сопротивления. [13]
Полупроводниковые резисторы представляют обширный класс полупроводниковых приборов, принцип действия которых основан на свойствах полупроводников изменять свое сопротивление под действием температуры, электромагнитного излучения, приложенного напряжения и других факторов. [14]
Полупроводниковые резисторы, сопротивление которых сильно зависит от температуры, называют терморезисторами. Терморезисторы изготовляют из смеси оксидов кобальта, меди и марганца. Выпускаются также позисторы - терморезисторы с положительным ТКС ( СТ5, СТ6), изготовляемые на основе титаната бария. [15]