Cтраница 3
В полупроводниковых резисторах применяется полупроводник, равномерно легированный примесями. [31]
Терморезистором называют полупроводниковый резистор, основное свойство которого заключается в способности изменять свое электрическое сопротивление при изменении его температуры. [32]
Фоторезистор - полупроводниковый резистор, сопротивление которого зависит от освещенности. [33]
Вольт-амперная характеристика тиристора при различных усилиях, прикладываемых к игле. [34] |
Варистором называют полупроводниковый резистор, основное свойство которого заключается в способности изменять свое сопротивление при изменении приложенного к нему электрического напряжения. [35]
Тензорезистор - полупроводниковый резистор, в котором используется зависимость электрического сопротивления от механических деформаций. [36]
Температурные зависимости сопротивления терморезисторов с отрицательным ТКС ( а и позисторов ( б. [37] |
Фоторезисторы - полупроводниковые резисторы, изменение электрического сопротивления которых обусловлено исключительно действием электромагнитного излучения. [38]
Температурные зависимости сопротивления терморезисторов с отрицательным ТКС ( а и позисторов ( б. [39] |
Магниторезисгары - полупроводниковые резисторы, электрическое сопротивление которых существенно изменяется под действием магнитного поля. [40]
Подогревные характеристики терморезисторов-кос-веннвого подогрева.| Вольт-амперная характеристика варисторов. [41] |
Варнсторы - полупроводниковые резисторы с нелинейной вольт-амперной характеристикой, основное - свойство которых заключается в способности значительно изменять свое электрическое сопротивление при изменении подаваемого на него напряжения. Вольт-амперная характеристика варисторов ( рис. 11.4) может быть описана уравнением / Bt / e, где В я р - коэффициенты. [42]
Зависимость ОТНОСИТЕЛЬНОГО изменения сопротивления тензорезнстора, изготовленного на кремнии р-типа, от относительной деформации. [43] |
Тензорезистором называется полупроводниковый резистор, электрическое сопротивление которого изменяется под воздействием механических усилий, вызывающих его деформацию. Если у металлических проводников изменение сопротивления при деформации связано в основном с изменением их геометрич ских размеров, то у полупроводников наряду с этим может сильно зависеть от механических напряжений сама электропро-вводимость. Поэтому полупроводниковые тензорезисторы бывают во много раз чувствительнее проволочных металлических. Причиной изменения электропроводности полупроводников при деформациях является изменение межатомных расстояний в кристаллической решетке, влияющее на ширину запрещенной зоны и вызывающее заметное изменение концентрации носителей. [44]
Терморезистором называют полупроводниковый резистор, обладающий высокой чувствительностью к изменению температуры и отрицательным температурным коэффициентом сопротивления. [45]