Высокоомный резистор
Cтраница 1
Высокоомные резисторы выполняют преимущественно композиционного типа с сопротивлением до 1013 ОМ и используют в устройствах для измерения малых токов. Номинальная мощность рассеяния резисторов обычно не указывается, рабочие напряжения 100 - 300 В. [1]
Высокоомные резисторы R8, R9 и RIO позволяют неиспользуемые выходы ЛЭ оставлять свободными, что уменьшает общее количество связей на печатных платах. [2]
Высокоомные резисторы ( 1000 Ом и выше) наматывают уни-филярно или секционно, с противоположным направлением витков. [3]
Высокоомные резисторы выполняют преимущественно композиционного типа с сопротивлением до 1013 Ом и используют в устройствах для измерения малых токов. [4]
Высокоомные резисторы с малой площадью могут быть получены также па основе тонкопленочных рези-сторных структур на поверхности кристалла. Однако этот метод оказывается дорогим и недостаточно эффективным в условиях серийного производства БИС. [5]
Высокоомные резисторы для микросхем полученные методом ионного легирования. [6]
У высокоомных резисторов величина сопротивления вначале обычно уменьшается ( не более чем на десятые доли процента), а затем, через несколько месяцев, вновь возрастает. Процесс старения у непроволочных резисторов продолжается год-полтора. [7]
 |
Конструкция металлопленочного резистора МЛТ. [8] |
Для высокоомных резисторов, у которых нагрев чителен. [9]
Для высокоомных резисторов необходимы большие значения / Сф. Минимальные значения Ъ ограничены возможностями технологии, требованиями к точности сопротивления и рассеиваемой мощностью, а максимальные значения / - как возможностями технологии, так и габаритными размерами резисторов. Например, при формировании тонкопленочных резисторов с помощью масок не рекомендуется / Сф 10, так как длинные щели в маске снижают жесткость ее конструкции. Низкие значения / Сф в основном лимитируются технологическими ограничениями на минимальные расстояния между контактными площадками резисторов. [10]
 |
Принципиальная схема УПТ в интегральном исполнении. [11] |
Изготовление высокоомного резистора в монолитных интегральных схемах приводит к значительному расходу площади подложки и существенному увеличению мощности рассеяния. Технологически выполнить транзистор значительно проще. [12]
Для высокоомных резисторов, у которых резистивная проволока имеет диаметр 0.05 мм, достаточно 2 - 3 слоев покрытия для полного закрытия проволоки и соответственно 1 - 2 термообработки. На низкоомные резисторы с диаметром резистивной проволоки 0.4 - 0.5 мм покрытие наносится многократно и изделия проходят 5 - 6 термообработок. [13]
Применение столь высокоомных резисторов обусловлено высоким внутренним сопротивлением источника испытательного напряжения тераомметра, что в свою очередь требует усилителя с высоким входным сопротивлением. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5