Высокоомный резистор

Cтраница 3

Поэтому на входе усилителя устанавливается ряд переключающих высокоомных резисторов с целью получения чувствительности, требуемой для данного анализа. [31]

Следует отметить, что даже на низких частотах высокоомные резисторы не могут работать при очень высоких напряжениях, как это может показаться, если исходить из зависимости UZPR. Дело в том, что в этом случае допустимое напряжение ограничивается не нагревом, а электрическим пробоем. В связи с этим высокоомные резисторы по мощности используются не полностью и обычно при работе меньше нагреваются, чем низкоомные. [32]

Другой интенсивно развивающийся в настоящее время метод изготовления высокоомных резисторов заключается в использовании ионного внедрения. Заданная точность воспроизведения номинала резистора обеспечивается при использовании ионного внедрения легче, чем точность диффузионных резисторов. [33]

Сигналы на выходе совмещенного преобразователя в импульсном режиме. [34]

Для возбуждения излучающего вибратора емкость его пьезоэлемента заряжают через высокоомный резистор от источника постоянного напряжения, а затем разряжают через тиристор. [35]

Для увеличения информационной плотности накопителя методом ионного легирования создают высокоомные резисторы малой площади или используют в качестве резистив-ных областей высокоомные эпитаксиальные слои. В качестве высокоомных резисторов малой площади используют также сжатые диффузионные слои. [36]

Недостатком делителя рис. 5 - 19 является необходимость применения высокоомных резисторов и большое число их номиналов. Оптимальным по количеству номиналов является вариант этой схемы для чисто двоичного кода, позволяющий применять лишь два номинала резисторов и минимальное число переключателей. Существенную погрешность в работу ПКН с такими делителями вносит разброс сопротивлений ветвей делителя, так как высокоомпые резисторы трудно выполнить с достаточной точностью. [37]

Структурная схема прибора ИПК-1. [38]

Разность ионизационных токов обеих камер создает падение напряжения на высокоомном резисторе 4, сигнал с которого поступает в усилитель постоянного тока 5, собранного на электрометрической лампе. Последний через лекально-рычажный механизм 11 и 12 удаляет ( приближает) источник 13 к опорной камере, восстанавливая баланс потоков у-квантов. [39]

Из табл. 3 и 4 видно, что серийно выпускаемые микропроволочные и непроволочные высокоомные резисторы обладают в основном невысокой стабильностью, сопротивление непроволочных резисторов зависит от изменения приложенного напряжения и температуры. Поэтому для создания образцовых средств измерения необходимо проводить тщательное исследование и отбор резисторов, обладающих требуемой стабильностью, малыми температурными коэффициентами, а также малой зависимостью сопротивления от изменения приложенного к ним напряжения. [40]

В некоторых радиоизотопных приборах с ионизационными камерами [1, 9, 10] сигнал с высокоомного резистора поступает па вибропреобразователь, а затем усиливается. [41]

Простейший [ IMAGE ] Схемы управления ключом на полевых ключ на транзисторе с транзисторах, стабилизирующие напряжение зат-р - п-переходом вор - канал. [42]

В схеме на рис. 6.6 а затвор и вход соединены высокоомным резистором R. Uc s t / jj и сопротивление канала минимально. Уровень входного сигнала, замыкающего ключ, должен быть не менее максимального переключаемого сигнала. Запирающий сигнал, требования к которому такие же, как у ключа на рис. 6.5, пропускается диодом на затвор. Без включения конденсатора процесс отпирания затягивается на десятки микросекунд. [43]

Для устранения этого вредного явления прибегают к шунтированию каждого диода цепочки высокоомным резистором. Сопротивление резисторов выбирают так, чтобы ток, протекающий через цепочку резисторов, был в несколько раз больше обратного тока в цепочке диодов. Параллельно резисторам подключают конденсаторы, емкость которых в несколько раз больше емкости диода. Образованный этими конденсаторами емкостный делитель выравнивает динамическое распределение напряжения между диодами. [44]

Схема ЗЭ статического ЗУПВ на биполярных транзисторах ( а. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5