Низкоомный резистор

Cтраница 3

На основе полупроводниковых материалов с концентрацией атомов примесей, составляющей 1017 - 1019 см-3, получены низкоомные резисторы с объемным проводящим элементом, способные работать в широком интервале температур. Предельная рабочая температура кремниевого резистора зависит от количества примесей в кристалле и при высоких значениях концентрации, порядка 1018 - 1019 см-3, составляет 300 - 350 С. [31]

Резистивный делитель напряжения. [32]

Основные дефекты резисторов: увеличение номинала сопротивления, чаще это проявляется у высокоомных резисторов ( сотни килоом и более), а также у низкоомных резисторов ( единицы ом); обрыв резисторов, чаще высокоомных, а также переменных. [33]

Резистивный делитель напряжения. [34]

Основные дефекты резисторов: увеличение номинала сопротивления, чаще это проявляется у высок омных резисторов ( сотни килоом и более), а также у низкоомных резисторов ( единицы ом); обрыв резисторов, чаще высокоом-ных, а также переменных. [35]

В настоящее время высо-коомные катушки ( свыше 10е Ом) имеют микропроволочную намотку ( сверхтонкий манганиновый провод в стеклянной изоляции), а перспективным направлением развития более низкоомных резисторов являются прецизионные печатные резисторы, которые характеризуются меньшей реактивной составляющей сопротивления, чем обычные намоточные. [36]

Изменение относительного восстанавливающегося напряжения и тн.| Зависимость степени демпфирования переходного процесса г д от. [37]

Отсюда видно, что критическое демпфирующее сопротивление обратно пропорционально току / и, следовательно, для эффективного демпфирования высокочастотного процесса при отключении больших токов короткого замыкания требуются достаточно низкоомные резисторы, в то время как для достижения той же цели при коммутации менее тяжелых коротких замыканий могут быть применены шунтирующие резисторы с большим сопротивлением. Отсюда следует, что сопротивление резистора должно быть выбрано таким, чтобы обеспечить критическое демпфирование при заданном токе короткого замыкания. Кроме того, степень демпфирования быстропереходных процессов в выключателе существенно зависит от его типа и рода примененной в нем дугогасящей среды. [38]

Мостовая измерительная цепь с дифференциальным емкостным преобразователем.| Измеритель толщины гальванического покрытия ферромагнитных изделий. [39]

Они, как и индуктивные преобразователи, чаще всего включаются в мостовую цепь, соседние плечи которой образуются емкостями дифференциального преобразователя, а в два других плеча включаются низкоомные резисторы, взаимосвязанные индуктивности или полуобмотки питающего трансформатора. Чтобы устранить влияние наводок, элементы измерительной цепи соединяют экранированными проводами. Влияние паразитных емкостей в схеме незначительно, так как емкости конденсаторов С1 и С2 шунтируют низкоомные сопротивления резисторов R1 и R2, а емкость СЗ - вход усилителя. Для улучшения линейности функции преобразования мостовой цепи с емкостными преобразователями необходимо включать выходной измерительный прибор с большим входным сопротивлением. [40]

Размеры контактной области должны выбираться такими, чтобы при наихудших сочетаниях геометрических размеров резистивного слоя и контактных площадок резистив-ная и проводящая пленки перекрывались, обеспечивая малое переходное сопротивление контакта в низкоомных резисторах. [41]

Номинальные значения сопротивлений прецизионных печатных резисторов находятся в пределах от 5 10 - - до 5 103 Ом. Низкоомные резисторы изготовляют обычно из манганина, высокоом-ные - из нихрома. [42]

Для высокоомных резисторов, у которых резистивная проволока имеет диаметр 0.05 мм, достаточно 2 - 3 слоев покрытия для полного закрытия проволоки и соответственно 1 - 2 термообработки. На низкоомные резисторы с диаметром резистивной проволоки 0.4 - 0.5 мм покрытие наносится многократно и изделия проходят 5 - 6 термообработок. [43]

Усилительный каскад. [44]

Система защиты стабилизатора от перегрузки по току состоит из датчика и исполнительной части. Датчиком служит низкоомный резистор, через который протекает ток нагрузки ВИП и падение напряжения на котором является сигналом, управляющим исполнительной частью. Место установки датчика в токовом контуре зависит от принципа действия и особенностей схемы защиты. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5