Низкоомный резистор
Cтраница 4
Проволочный эмалированный резистор представляет собой керамическую трубку / ( рис. 12 - 4, табл. 12 - 5), на которую намотана неизолированная проволока высокого удельного сопротивления. Для изготовления низкоомных резисторов применяют проволоку из константана ( сплав меди с никелем), а для изготовления высокоомных-нихром. Обмотка покрыта теплостойкой неорганической стеклоэмалью 2, которая изолирует друг от друга витки обмотки и защищает ее от влаги, механических повреждений и загрязнения. [46]
Для этого случая эквивалентная схема рис. 1 6 справедлива при включении в цепь базы источника Еъ Еп, где п - коэффициент передачи - резисторното делителя IB цепи базы, и генератора тока / 121э / б - При 1к ( То), значительно меньшем тока срабатывания выходного устройства, уменьшение задержки происходит вследствие увеличения мощности, выделяемой в ( переходе, и увеличения / z2i3, являющегося возрастающей функцией 1Э при малых его значениях. При включении низкоомного резистора между базой и эмиттером ( пунктир на рис. 3 0) уменьшение задержки происходит, кроме того, и за счет уменьшения гэ, что увеличивает 5, и температурного уменьшения напряжения эмиттерного перехода. В этом случае выбором 1К ( Т0) ( кривая 3, рис. 4) относительно / к ( ср) время задержки может быть уменьшено до значений, исчисляемых долями секунды. Достоинством способа является возможность значительного уменьшения времени задержки без повышения питающего напряжения, что всегда связано с увеличением вероятности электрического пробоя переходов транзистора. Уменьшение задержки, кроме того, возможно за счет увеличения начальной температуры перехода путем предварительного нагрева, а также увеличением пс за счет теплоизоляции корпуса транзистора от окружающей среды. [47]
Такая структура требует широкий диапазон ( 2 - ) сопротивлений резисторов, что трудно реализовать при интегральной технологии. Температурные коэффициенты высокоомных и низкоомных резисторов значительно отличаются между собой, что вызывает значительную температурную погрешность. Кроме того, заметную погрешность вызывают разброс и температурная зависимость сопротивлений ключей. Вследствие перечисленных недостатков ЦАП по структуре рис. 6.80 в настоящее apt - мя применяются редко. [49]
 |
Схема фотоэлектроколориметра модели Клетт - Саммерсона ( Klett Manufacturing Company. [50] |
В обоих фотоэлементах, являющихся фотоэлементами вентильного типа ( более подробно описаны в гл. Каждый фотоэлемент шунтирован низкоомным резистором, причем резистор фотоэлемента сравнения снабжен скользящим контактом. В кювету помещают растворитель и с помощью подвижной щели устанавливают стрелку гальванометра на нуль, обеспечивая тем самым одинаковую освещенность обоих фотоэлементов. Затем растворитель заменяют анализируемым окрашенным раствором. Поскольку проба поглощает сильнее, чем растворитель, ток в рабочем фотоэлементе уменьшается, а это приводит к уменьшению напряжения на его резисторе. Теперь, чтобы уравнять напряжение от обоих фотоэлементов, нужно передвинуть скользящий контакт ( на схеме вниз) и снова привести стрелку гальванометра к нулю. Со шкалы потенциометра снимают показания в процентах пропускания. [51]
С этой целью в линию включают батарею конденсаторов соответствующей емкости. Если шунтировать батарею низкоомным резистором R с последовательно включенным разрядником ( рис. 25.5), то такое устройство приобретает свойства РТОУ. В нормальном режиме конденсатор С компенсирует индуктивность воздушной линии. При КЗ разрядник пробивается и конденсатор шунтируется. Результирующее сопротивление электропередачи увеличивается и ток КЗ ограничивается. Такое устройство позволяет снизить расходы на сооружение РТОУ, поскольку при этом используется конденсаторная батарея, предназначенная для другой цели. [53]
КМОП-вентиль построен на полевых МОП-транзисторах обоих полярностей, которые работают в режиме усиления и соединены как ключи, а не как повторители. Открытый полевой транзистор подобен низкоомному резистору, подключенному к шине питания. [54]
КМОП-вентиль построен на полевых МОП-транзисторах обеих полярностей, которые работают в режиме усиления и соединены как ключи, а не как повторители. Открытый полевой транзистор аналогичен низкоомному резистору, подключенному к шине питания. Для того чтобы открыть последовательно включенную пару транзисторов Т3, Tt и закрыть нагрузочные транзисторы Т и Т ч, на оба входа должен быть подан ВЫСОКИЙ уровень. [55]
 |
Габаритные чертежи типовых проволочных резисторов. [56] |
Промышленностью выпускаются проволочные резисторы типов ПЭ ( проволочные эмалированные), ПЭВ ( проволочные эмалированные влагостойкие) и ПЭВР ( проволочные эмалированные влагостойкие регулируемые), рассчитанные на работу в интервале температур от - 60 до 155 С. Эти резисторы изготовлены из голой константа новой ( низкоомные резисторы) или нихромо-вой ( высокоомные резисторы) проволоки, намотанной на керамическую трубку. Обмотка покрыта сверху стекловидной эмалью коричневого или зеленого цвета. Крепятся они при помощи болтов или шпилек, пропускаемых сквозь внутреннее отверстие трубки. [57]
Недостатком схемы является чувствительность к разбросу входных токов, что приводит к снижению нагрузочной способности схемы. Для частичного устранения этого влияния во входные цепи схемы обычно включаются низкоомные резисторы. [58]
 |
Элемент И-ИЛИ-НЕ на интегральных схемах класса ТТЛ ( а и его условное обозначение ( б. [59] |
Недостатком является чувствительность к разбросу входных токов, что приводит к снижению нагрузочной способности схемы. Для частичного устранения этого влияния во входные цепи схемы обычно включаются низкоомные резисторы. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5