Интегральный резистор
Cтраница 1
 |
Схемы стабилизации тока 7К. [1] |
Интегральные резисторы ( как и дискретные) характеризуются ТКС, значение и знак которого зависят от типа резистора. [2]
Создание интегральных резисторов, представляющих собой тоцкий ( порядка 3 мкм) слой полупроводника, происходит по планарной технологии в процессе диффузии примеси в островки подложки или эпитаксиального слоя одновременно с формированием транзисторов и диодов в других островках подложки. Такие резисторы называют диффузионными. Изоляция диффузионных резисторов от других элементов и подложки осуществляется так же, как и в интегральных транзисторах - с помощью запертого р - / г-перехо-да. [3]
 |
ЛС-структуры. а - ускоряющая цепь. б - линия задержки или интегрирующая. [4] |
При моделировании интегральных резисторов следует учитывать, что они представляют собой распределенные С-структуры. Паразитная емкость С-структуры определяется зарядной емкостью изолирующего р-я-перехода в монолитных схемах, а при диэлектрической изоляции и для пленочных резисторов - емкостью резистивного слоя относительно подложки. Влияние паразитной распределенной емкости обычно описывается введением в модель шунтирующего конденсатора с постоянным значением емкости, равным среднему значению емкости распределенной RC-структуры. Иногда параллельно резистору в модели, кроме конденсатора, подключают паразитный транзистор. Параметры такой модели рассчитываются из технологических данных. [5]
Различают два типа интегральных резисторов: полупроводниковые и пленочные. [6]
 |
Модель интегрального резистора с паразитной емкостью ( а и с паразитными емкостью и транзистором ( б. [7] |
При анализе характеристик интегральных резисторов необходимо иметь в виду, что они представляют собой распределенные ЛС-струк-туры. В ИМС с изолирующим p - n - переходом паразитная емкость RC-структуры определяется зарядной емкостью изолирующего р-п-перехо-да. [8]
В отделе 7430 разработаны интегральные резисторы с сопротивлением до 1 МОм, которые широко применяются в телеметрической аппаратуре предприятия. [9]
С - усредненная емкость интегрального резистора R3, См - емкость монтажа, п - число входов аналогичных ячеек, подключенных к данному выходу, С2 имеет тот же смысл, что и ранее. [10]
 |
Элемент И - НЕ на интегральных схемах класса ДТЛ.| Элемент И - НЕ на интегральных схемах класса ТТЛ. [11] |
Последний фактор связан со сложностью изготовления высокоомных интегральных резисторов на малых площадях. [12]
 |
Амплитудно-частотная ( / и фазочастотная ( 2 характеристики ОУ типа.| Основные схемы включения ОУ типа LM118. [13] |
Усилитель выполнен с диэлектрической изоляцией компонентов и с применением пленочных интегральных резисторов. [14]
С повышением напряжения источника питания возникает опасность электрического пробоя р-п переходов транзисторной структуры или пленки, которой изолируется затвор полевого транзистора, и растут потери энергии, так как с увеличением сопротивления коллекторной или стоковой нагрузки падение напряжения на нем возрастает, что приводит к дополнительным потерям энергии. Кроме того, в интегральных усилителях увеличение сопротивления интегрального диффузионного резистора связано с ростом стоимости микросхемы, поскольку интегральный резистор с большим сопротивлением будет занимать значительную площадь на кристалле, что потребует увеличения его размеров. [15]
Страницы: 1 2