Интегральный резистор

Cтраница 2

Если переход в полупроводнике смещен, результирующий индуцированный ток позволяет получить отчетливую картину перехода. Этот метод настолько точен, что с его помощью можно видеть инверсионные слои и наблюдать картину падения потенциала в интегральных резисторах, исследовать поверхность пассивирующего окисла, анализировать качество напыленных выводов и контактов, изготовленных термокомпрессией золотой проволоки. К типичным дефектам, определяемым этим методом, относятся плохое совмещение и низкое качество оксидной маскировки для диффузии, царапины на поверхности полупроводникового материала и окисла, дефекты в напыленных межэлектродных соединениях и дефекты в пассивирующем оксидном слое. [16]

Структура полупроводниковой интегральной микросхемы ( а и ее эквивалентная схема ( б.| Основные методы изоляции элементов ИС. [17]

Резистор представляет собой тонкую полоску р-типа, с обоих концов которой имеются металлические контакты. Сопротивление такого резистора пропорционально длине полоски и обратно пропорционально ее ширине. Обычно сопротивления интегральных резисторов ограничены диапазоном от 10 Ом до 30 кОм со значительным ( до 20 %) разбросом параметра. [18]

Относительный разброс сопротивлений пространственно близких резисторов гораздо меньше, чем разброс абсолютных значений, что является важной особенностью схем ИМС. Это обстоятельство ощутимо облегчает реализацию некоторых схем. То же самое можно сказать и о температурных коэффициентах сопротивлений интегральных резисторов: у близко расположенных резисторов они близки. Следовательно, заданное отношение резисторов ( их нормированное значение) будет поддерживаться довольно стабильно и в диапазоне температур. [19]

Элемент И-НЕ на интегральных схемах класса ТТЛ. [20]

Схема ДТЛ имеет высокое быстродействие и потребляет малую мощность; Последовательно включенные диоды в цепи базы выполняют роль небольшого сопротивления / используется прямое падение напряжения на диодах), благодаря чему схема имеет высокую помехоустойчивость. Если в обычных схемах стоимость резисторов ниже стоимости диодов и с этой точки зрения схемы, использующие во входных цепях резисторы, выгоднее схем ДТЛ, то в интегральных микросхемах резисторы зинимают большую площадь, чем диоды, поэтому в этих схемах отдается предпочтение диодам. К достоинству схемы относится также отсутствие источника с отрицательным напряжением, что снижает количество дополнительных шин питания в устройстве. Это особенно важно S схемах с высокой плотностью упаковки. Недостатком схемы является сравнительно высокое сопротивление резистора, используемого в цепи смещения. Последний фактор связан со сложностью изготовления высокоомных, интегральных резисторов на малых площадях. [21]

Элемент И - НЕ на интегральных схемах класса ДТЛ. [22]

Схема ДТЛ имеет высокое быстродействие и потребляет малую мощность. Последовательно включенные диоды в цепи базы выполняют роль небольшого сопротивления ( используется прямое падение напряжения на диодах) благодаря чему схема имеет высокую помехоустойчивость. Если в обычных схемах стоимость резисторов ниже стоимости диодов и, с этой точки зрения, схемы, использующие во входных цепях резисторы, выгоднее схем ДТЛ, то в интегральных схемах резисторы занимают большую площадь, чем диоды, поэтому в этих схемах отдается предпочтение диодам. К достоинству схемы относится также отсутствие источника с отрицательным напряжением, что снижает количество дополнительных шин питания в устройстве. Это особенно важно в схемах с высокой плотностью упаковки. Недостатком схемы является сравнительно высокая величина резистора, используемого в цепи смещения. Последний фактор связан со сложностью изготовления высокоомных интегральных резисторов на малых площадях. [23]

Страницы: 1 2