Результат - измерение - зависимость
Cтраница 1
 |
Зависимость действительной G ( а и мнимой G ( б компонент комплексного динамического модуля от времени при частотах 0 0625 ( /, 0 25 ( 2. [1] |
Результаты измерений зависимостей С ( ш, /) для трех круговых частот с00 2л / о, eai4D0 и co216cio представлены на рис. 3.4. Сразу же обращает на себя внимание несовпадение формы указанных зависимостей для разных частот, особенно наглядное для G, поскольку в данном случае существенно различается положение максимума G по временной оси. В самом общем смысле это отражает различный вклад основных механизмов проявления релаксационных свойств материала в его измеряемые вязкоупругие характеристики. [2]
Результаты измерений зависимости электропроводности оксидного слоя от температуры показали, что в активированном состоянии электролитическая электропроводность этого слоя составляет лишь малую долю его полной электропроводности, имеющей электронный характер. Активированный оксидный слой катода является полупроводником. [3]
Результаты измерений зависимости электропроводности оксидного слоя от температуры показали, что в активированном состоянии электролитическая электропроводность этого слоя составляет лишь малую долю его полной электропроводности, имеющей электронный характер. [4]
Приведены результаты измерений зависимости поглощения в поперечно намагниченных ферритовых пластинах с высотой, равной высоте волновода, от их длины при уровнях высокочастотной мощности до 120 кет. Выше уровня критической мощности, при котором появляется дополнительный резонанс, выходная мощность является почти линейной функцией входной мощности. Коэффициент затухания при этом составляет 3 дб / см. Сдвиг фазы почти не зависит от уровня падающей мощности. [5]
 |
Зависимость коэффициента потерь г т от температуры Т для демпфирующего покрытия из материала LD-400. [6] |
На рис. 6.49 показаны результаты измерений зависимости от температуры характеристик демпфирования для нескольких форм колебаний. [7]
На рис. 3.30 представлены результаты измерения зависимости Нп и сдвига центра спектра от нулевой скорости как функции температуры. Видно, что вблизи точки перехода наблюдается отклонение от обычного в других случаях линейного отношения. Предполагается, что это отклонение обусловлено наличием температурно-зависимого вклада в изомерный сдвиг, который грубо пропорционален магнитному полю. [8]
На рис. 11.194 показаны результаты измерения зависимости квантового выхода в InSb ( числа электронно-дырочных пар, приходящиеся на один падающий фотон) от энергии фотонов. Данные нормированы относительно hv 0 35 эВ; коэффициент отражения принят положительным. [9]
На рис. 8.4 приведены результаты измерений зависимости скорости ударной волны D от расстояния х в плексигласовой преграде, находящейся в контакте с зарядом флегматизированного октогена. Зависимость D ( x) отражает структуру детонационной волны и позволяет рассчитать методом характеристик волновой профиль контактной поверхности. Измерения скорости ударной волны на базах в 0 2 мм вблизи контактной поверхности дает возможность получать информацию о параметрах состояния ВВ через 5 - 10 не после начала детонационного превращения. [10]
 |
Силовая зависимость скорости выхода летучих молекулярных продуктов для нагруженного полистирола ( образец с трещиной при комнатной температуре. [11] |
На рис. 131 представлены результаты измерения зависимости скорости выхода летучих продуктов от напряжения. [12]
На рис. 8.4 приведены результаты измерений зависимости скорости ударной волны D от расстояния х в плексигласовой преграде, находящейся в контакте с зарядом флегматизированного октогена. Зависимость D ( x) отражает структуру детонационной волны и позволяет рассчитать методом характеристик волновой профиль контактной поверхности. Измерения скорости ударной волны на базах в 0 2 мм вблизи контактной поверхности дает возможность получать информацию о параметрах состояния ВВ через 5 - 10 не после начала детонационного превращения. [13]
Аналитическое описание обнаруженной в результате измерений зависимости одних параметров от других является второй важнейшей задачей экспериментальных исследований, о чем сами экспериментаторы нередко забывают, считая, что единственным содержанием экспериментальных работ являются только измерения. [14]
На этом же рисунке приведены результаты измерения зависимости S / SOQ для мощного полевого транзистора. Это свидетельствовало о том, что действительно саморазогрев прибора не наблюдался. [15]
Страницы: 1 2 3