Cтраница 2
Расстоянии проводимости П. [16] |
Одновременно проводимость повышается до 2 3 - Ю3 Ом-1 - см-1. Однако это значение сильно меняется от кристалла к кристаллу. Уже небольшие концентрации примесей сильно исключают результаты измерений проводимости. [17]
Схемы подключения электролитических измерительных ячеек. [18] |
В случае, когда температура ОК может изменяться, используют кондуктометры с температурной компенсацией, реализуемой различным образом. Эта ячейка размещается в камере 1 и, следовательно, имеет одинаковую с ней температуру. Сравнительная ячейка 3 заполняется жидкостью, имеющей такой же закон изменения электропроводности от температуры, как и контролируемая жидкость. Измерительная и сравнительная ячейки включаются в смежные плечи моста, что приводит к компенсации влияния температуры ОК на результаты измерения проводимости. При этом точность компенсации определяется идентичностью функций-влияния температуры на проводимость жидкостей в указанных ячейках. [19]
Рассмотрим теперь действие поверхностных состояний. Вообще говоря, эти состояния будут положительно или отрицательно заряжены. Если, например, заряд отрицателен, то зоны искривятся так, что электроны будут отталкиваться от поверхности, а дырки-притягиваться. На полупроводнике n - типа в результате этого искривления зон может образоваться тонкий слой, в котором дырок больше, чем электронов. Такие слои, тип проводимости которых отличается от объемного, называются инверсионными. Измерение проводимости инверсионных слоев представляет собой важный метод исследования поверхностных свойств. В настоящей статье будут интерпретироваться результаты измерений проводимости инверсионных слоев. В настоящей статье будет идти речь главным образом о поверхности кремния, а для германия будут представлены только дополнительные результаты. [20]