Результат - напыление
Cтраница 1
Результаты напыления - вплавления можно рассматривать в геометрическом и электрическом аспекте; рассмотрим первый из них. Как было упомянуто выше, кремний можно нагревать во время напыления, применяя специальный полосковьий трафарет. Получаемые результаты в этом случае сильно зависят от температуры полупроводникового материала. Это в особенности справедливо в отношении системы алюминий-кремний. Для этой системы представляют интерес три температурных диапазона. В высокотемпературном диапазоне алюминий после нанесения его на поверхность кремниевой пластинки находится в расплавленном состоянии и может перемещаться по поверхности; он подвержен также силам поверхностного натяжения. [1]
В результате напыления в герметичной камере с защитной средой при охлаждении покрытия и подложки удалось получить покрытия удовлетворительного качества и практически сохранить исходный состав напыляемых порошков. [2]
В результате напыления на слюду при 550 К образуются кристаллиты тетраэдрической формы ( по-видимому, усеченные по высоте), а также более сложные по структуре частицы многократного двойникования, как определенной, так и неопределенной формы, и недвойниковые частицы неправильной формы; преобладают последние. [3]
В результате напыления на слюду при 300 К образуются главным образом многократные двойники и некоторое количество недвойниковых частиц - все неправильной формы. [4]
Обнаружено, что в результате напыления слоев диэлектрика на их поверхности образуются квазипериодические дефектные мезоетруктуры, проявляющиеся в виде гофра. [5]
Электронно-микроскопические наблюдения позволили установить, что уже в результате напыления, например, серебра или золота на окись цинка на последней образуются пространственно разделенные агрегаты довольно крупных размеров ( до 1000 А в диаметре), расположенные на расстоянии многих сотен атомных диаметров друг от. Такой характер рапределения металла является общим для всех изученных систем, хотя в отдельных случаях наблюдались некоторые различия. При нагревании препаратов отчетливо наблюдалось увеличение более крупных частиц за счет поедания более мелких. Возможность перераспределения материала за счет его плавления или испарения в условиях опытов была исключена, так что единственным процессом, который мог вызвать описанные изменения структуры, следовало считать поверхностную миграцию атомов металлов. [6]
 |
Зависимость времени пролета электронов от напряжения для вакуума 1. фосфида индия 2. арсенида галлия 3 и кремния 4. [7] |
Наряду с автоэмиссионными катодами в виде металлических остриев, полученных в результате напыления, многие научные группы занимаются разработкой технологии изготовления и изучением эмиссионных свойств катодов из полупроводниковых материалов, таких как кремний. [8]
В лампах с оксидным катодом и малыми междуэлектродными расстояниями термоэмиссия с сетки получается в результате напыления на нее активного вещества и нагрева за счет теплоизлучения от других электродов. Снижая работу выхода сетки, активный слой одновременно изменяет контактную разность потенциалов в лампах, что приводит к нестабильности их параметров в течение заданных сроков службы. [9]
Метод молекулярно-лучевой эпитаксии предполагает, что монокристаллический эпитаксиальный слой AIXIBV наносится на поверхность подложки в результате напыления молекулярным пучком в сверхвысоком вакууме. Этот метод позволяет точно контролировать толщину эпитаксиального слоя путем управления количеством напыляемого материала, переносимого молекулярным пучком на подложку. Кроме того, он дает возможность измерения толщины и кристалличности эпитаксиального слоя за счет применения в процессе наращивания метода дифракции электронных лучей. [10]
 |
Пути электронов в триоде при значениях потенциала сетки близких к нулю. [11] |
Изол сетки может быть часто переменным во времени или же носить не омический характер, как, например, в случае проводящих мостиков, возникающих в результате напыления поглотителя, оксида с катода, или же металла с анода и других деталей лампы на изолирующие держатели сетки и анода. [12]
В табл. III.33 приведены размеры и параметры муфты по рис. III.51, выпускаемой той же фирмой, но с повышенной несущей способностью, достигнутой путем увеличения толщины упругого элемента и числа слоев корда, а также за счет более прочного соединения резины с металлом в результате напыления металла на фланцы полумуфт и нажимных колец. [13]
 |
Изготовление напылительных масок гальваническим методом. [14] |
В других методах изготовления масок комбинируют химическое трая-ление с гальваническим нанесением материала для создания послойных покрытий. Тонкопленочный рисунок, который должен получиться в результате напыления, вначале появляется в виде изображения в слое фоторезиста на плоской медной пластине, толщина которой 0 05 мм. Затем на эту пластину гальваническим методом наносится слой никеля толщиной немного меньше толщины слоя фоторезиста, чтобы избежать захлестывания края и перекрытия линий рисунка в слое фоторезиста. После удаления фоторезиста селективно вытравливается медь. [15]
Страницы: 1 2