Cтраница 1
Результаты предыдущего раздела можно обобщить так, чтобы они были применимы и к телам более общей формы. [1]
Результаты предыдущего раздела можно использовать для расчета пружины, показанной на рис. 5.14. Пружина представляет собой выгнутые предварительно по сферической поверхности радиуса R и затем сваренные по контуру пластины. Каждая из пластин, если они все одинаковы, находится в условиях жесткого защемления, и для ее расчета можно использовать результаты предыдущего раздела. Действительно, задача изгиба плоской пластины штампом, изображенная на рис. 5.11, аналогична задаче изгиба предварительно искривленной пластины штампом ( рис. 5.15), если прогибы последней отсчитывать от первоначальной искривленной поверхности, показанной сплошной линией. [2]
Результаты предыдущего раздела, относящиеся к исследованию структуры окрестности множества Q с помощью чпакопостоянных функционалов, позволяют сформулировать общие теоремы об устойчивости множества. [3]
Результаты предыдущего раздела позволяют ограничиться исследованием осесимметричной формы потери устойчивости пластинки. Ясно, что для этой формы обращаются в нуль угловая компонента смещения а и связанные с ней величины. [4]
Результаты предыдущего раздела могут быть объяснены ( с некоторой идеализацией и экстраполяцией) следующей картиной сольватации при ионизации предельных субстратов, подобных f - BuCl; она служит отправной точкой для последующего усовершенствования. Это осуществляется главным образом за счет общей диэлектрической сольватации и специфической электрофильной сольватации формирующегося Х - водородными связями. Диэлектрической сольватации формирующегося R достаточно для разрушения структуры окружающего растворителя без образования хорошо сформированной гидратной сферы. Специфическая близкодействующая сольватация R в переходном состоянии, если она действительно имеет место, должна быть предпочтительной в более поляризуемых растворителях. С другой стороны, полностью сформированный R лучше сольватируется более основными растворителями. Взаимодействия R с водой и пиридином связаны с относительно сильными ковалентными взаимодействиями. В смешанных водных растворителях зависимость стабилизации растворителем реагентов в исходном состоянии от состава может быть исключительно сложной; поведение переходного состояния проще и напоминает поведение ионных моделей. [5]
Результаты предыдущего раздела могут быть легко распространены на дискретные по времени или многошаговые задачи. [6]
Результаты предыдущего раздела можно теперь переформулировать следующим образом: если существует процесс, удовлетворяющий условиям а) и б), то его Приращения Z ( / A) - Z ( /) имеют обобщенные распределения Пуассона. [7]
Результаты предыдущего раздела, полученные для случая протекания г одновременных химических реакций в замкнутой гомогенной системе, легко обобщаются на случай гетерогенных систем. [8]
Результаты предыдущего раздела описывают лишь начальную стадию процессов модуляции и фокусировки. Исследование этих процессов при достаточно больших t сильно усложняется из-за сложного вида основных уравнений. [9]
Результаты предыдущего раздела позволяют представить в простом виде распределения вероятностей, существенные для определения отдельных значений электрического поля. [10]
Результаты предыдущего раздела, относящиеся к поведению этилена, наводят на мысль, что другой главный продукт распада пропана - пропилен, также может вступать во вторичные реакции с образованием пропана. [11]
Результаты предыдущих разделов свидетельствуют о том, что структура вязкого пограничного слоя у поверхности определяется равновесием между ускорением Кориолиса и силами вязкости. [12]
Подытоживая результаты предыдущего раздела, можно сказать, что процесс инжекции электрона или дырки в органический кристалл связан с удалением электрона соответственно из электрода или из кристалла, что в любом случае требует затраты энергии. Если имеется дефицит при переносе электрона в любом направлении, то это соответствует энергетическому барьеру для данного процесса. Лишь в узком диапазоне, в котором р0 - L, не будет энергии активации переноса электрона; недостающая энергия может быть восполнена за счет внешнего источника и подведена в виде кванта излучения, приложенного электрического поля или повышенной температуры. Эта энергия может вызвать возбуждение электрода или кристалла или того и другого вместе. [13]
Обобщая результаты предыдущих разделов, рассмотрим перенос тепла и компонентов к теплопроводящей реагирующей сферической частице в потоке несжимаемого газа при протекании на ее поверхности неизотермической химической реакции, скорость которой произвольным образом зависит от температуры и концентраций реагирующих компонентов. [14]
Хотя результаты предыдущих разделов являются строгими следствиями теории, все же полезно убедиться, что они почти непосредственно подтверждаются экспериментом. Большое количество экспериментальных работ подтверждает теоретические формулы. [15]