Рекомбинация

Cтраница 1

Рекомбинация может происходить не только путем захвата электрона из зоны проводимости дыркой, находящейся в валентной зоне; возможна также рекомбинация с помощью примесных центров, называемых центрами рекомбинации. Обычно центрами рекомбинации являются примеси, имеющие энергетические уровни, расположенные в средней части запрещенной зоны, приблизительно на равном расстоянии от зоны проводимости и валентной зоны. [1]

Схематическое изображение действия ловушечных центров. [2]

Рекомбинация может происходить не только в объеме кристалла, но и на его поверхности, так как поверхность является местом нарушения периодичности кристалла и скопления значительного количества примесей. Состояние поверхности часто играет большую роль в снижении времени жизни, чем состояние в объеме кристалла. [3]

Рекомбинация при этом является узким местом процесса и величина Кс полностью определяет картину обрыва цепей. Неравенство АГСС Л и определяет границы этой так называемой кинетической области протекания реакции обрыва цепей. [4]

Рекомбинация - процесс обратный диссоциации ( см. гл. [5]

Рекомбинация как межзонная, так и через рекомбинационные ловушки может быть фотонной, фононной и ударной. [6]

Рекомбинация выделившегося на корродирующей поверхности атомарного водорода замедляется образованием сульфидов железа, вследствие чего облегчается проникновение атомарного водорода в металл и его интенсивное наводороживание, результатом которого является замедленное разрушение при наличии напряжений. Разрушение образцов из низкоуглеродистых сталей протекает в несколько характерных стадий ( рис. 76), которые были определены экспериментально при испытании серии образцов с различной площадью поперечного сечения и последующих металлографических исследованиях. Начальная фаза разрушения связана с созданием в сечении образца необходимой минимальной концентрации диффузионно-подвижного водорода. По известным данным [31], диффузия ионов водорода идет в основном по границам зерен, где энергия активации процесса значительно ниже. После проводороживания сечения образца наступает следующий этап: образование в отдельных сечениях систем трещин, ориентированных вдоль строчек проката. [7]

Рекомбинация идет через один тип рекомбинационных центров, энергетический уровень которых Et расположен для определенности в верхней половине запрещенной зоны. [8]

Схема, поясняющая модель. [9]

Рекомбинация идет через один тип рекомбинационныхцентров, энергетический уровень которых Et расположен для определенности в верхней половине запрещенной зоны. [10]

Рекомбинация идет через один тип рекомбинационных центров, энергетический уровень которых Et расположен для определенности в верхней половине запрещенной зоны. [11]

Рекомбинация препятствует быстрому наступлению пробоя. [12]

Рекомбинация любых двух радикалов дает только стабильный продукт. [13]

Рекомбинация на поверхности твердого диэлектрика происходит так, что сначала электроны, как более подвижные частицы, заряжают поверхность до некоторого отрицательного потенциала, при котором отрицательные ионы и электроны отталкиваются от этой поверхности, а положительные ионы притягиваются, и, попадая на поверхность, теряют свой заряд. [14]

Рекомбинация при участии ловушки может происходить в объеме и на поверхности ПП; в последнем случае роль ловушек играют атомы посторонних примесей и адсорбированных газов, а также дефекты структуры. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5