Рекомбинация

Cтраница 2

Рекомбинация не является простым актом столкновения свободного электрона и свободной дырки - этот процесс более сложен и часто бывает многоступенчатым. Главную роль в процессе рекомбинации играют особые центры рекомбинации - ловушки, обладающие локальными энергетическими уровнями в запрещенной зоне, способными захватить электрон из зоны проводимости и дырку из валентной зоны, осуществляя их рекомбинацию. Такими ловушками являются дефекты кристаллической решетки полупроводника, которые могут быть расположены и на поверхности кристалла. [16]

Рекомбинация в клетках эукариот протекает преимущественно во-время jaeftosa в синаптонемальном комплексе - структуре, расположенной между парой гомологичных хроматид. Во всяком случае, ясно, что кроссинговер и рекомбинация в клетках эукариот представляют собой сложные и высокоорганизованные и неразрывно связанные друг с другом процессы, о которых мы знаем сейчас крайне мало. [17]

Изменение относительной реакционной способности производных дифенилмета-на ( 1 п тетрафенилэтапн ( . [18]

Рекомбинация таких радикалов с одноименными дробными зарядами естественно затрудняется, чем и объясняется отсутствие высокомолекулярных продуктов полирекомбинации производных дифенилметапа с электроноак-цепторными заместителями. [19]

Упрощенная конструкция ПКГ с электронным возбуждением.| Конструкция ПКГ с электронным возбуждением ( вариант с криогенным охлаждением. [20]

Рекомбинация образовавшихся при возбуждении электронно-дырочных пар сопровождается стимулированным излучением. [21]

Рекомбинация этих радикалов может привести к перегруппированному продукту. [22]

Рекомбинация и конденсация радикалов или лигандов. [23]

Рекомбинация тройным соударением имеет место для атомов и двухатомных фрагментов молекул. Для более сложных многоатомных фрагментов возможна и бинарная рекомбинация, при которой энергия распределяется по многочисленным связям соударяющихся частиц. [24]

Рекомбинация в области базы отсутствует и рекомби-национный ток в базе равен нулю. [25]

Различные механизмы генерации и рекомбинации носителей. [26]

Рекомбинация с участием рекомбинационных ловушек протекает в два этапа. На первом этапе рекомбинационная ловушка ( или энергетический уровень рекомбинационной ловушки) захватывает, например, электрон из зоны проводимости. Таким образом, электрон выбывает из процесса электропроводности. [27]

Рекомбинация этих радикалов приводит к образованию смесь этана, пропана, бутана, пентана и гексана, который подвергаются повторному расщеплению. При нагревании выше 600 С рекомбинация радикалов, по-видимому, не играет существенной роли и основным направлением дальнейшего превращения радикалов оказывается диспропорционирование. Существуют два основных типа диспропорционирования свободных алкильных радикалов. [28]

Схема энергетических уровней кристаллофосфора. [29]

Рекомбинация заброшенного в зону проводимости электрона с ионом активатора происходит очень быстро. Поэтому, если бы не было ловушек, свечение люминесценции было бы кратковременным и исчезало бы практически сразу после прекращения облучения кристалла. Ловушки позволяют увеличить длительность свечения. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5