Рекомбинация - заряд
Cтраница 1
Рекомбинация зарядов приводит к образованию промежуточных СТ-экситонов, дезактивация которых, как показано на рис. 3.2.22, дает как синглетные, так и триплетные молекулярные экситоны. [1]
Рекомбинация зарядов происходит в результате сближения частиц, которое обусловлено кулоновским притяжением аэрозольных частиц. [2]
Рекомбинация зарядов при разогреве облученного полимера приводит к РТЛ. [3]
Рекомбинация зарядов на стенках отверстия заканчивается быстрее вследствие большей близости стенок. [4]
Рекомбинацию зарядов и связанные с ними явления удобно изучать в замороженных растворах ароматических соединений в алифатических растворителях, особенно в углеводородах и эфи-рах. В этих системах как при действии ионизирующих излучений, так и при действии УФ-света положительными частицами являются катион-радикалы ароматического соединения. [5]
Рассмотрим специфику процессов рекомбинации зарядов в аэрозольной плазме. В [26] обращается внимание на возможность значительного возрастания времени жизни аэрозольной плазмы, причем как идеальной, так и неидеальной. [6]
 |
Схема опытов по изучению свечения, возникающего при нагружении образцов. [7] |
Квантовый выход люминесценции, вызванной рекомбинацией зарядов, на несколько порядков выше, чем в случае рекомбинации радикалов. Поэтому интенсивность свечения электроэмиссионного происхождения может быть достаточно высокой, несмотря на относительно малые концентрации образующихся при нагружении полимеров заряженных частиц. [8]
Пока неясен механизм, препятствующий рекомбинации зарядов, образующихся в первичной и последующих стадиях реакций переноса электронов во внутренних мембранах хлоропластов. Решение этой проблемы может способствовать созданию искусственных преобразователей солнечной энергии. [9]
С другой стороны, коэффициент рекомбинации зарядов уменьшается с ростом давления от значения 1 6х X 10 - 6 см3 / сек при 1 атм до 6 - 1СГ8 см. / сек при 150 атм, в то время как выход N02 возрастает. [10]
При постоянном токе разряда скорость рекомбинации зарядов постоянна. Поэтому такой метод детектирования был назван методом детектирования при постоянной скорости рекомбинации. Можно показать, что этот метод имеет существенные преимущества перед традиционным методом детектирования, основанном на определении изменений тока при постоянном напряжении. [11]
При постоянном токе разряда скорость рекомбинации зарядов постоянна. Поэтому такой метод детектирования был назван методом детектирования при постоянной скорости рекомбинации. Можно показать, что этот метод имеет существенные преимущества перед традиционным методом детектирования, основанном на определении изменений тока при постоянном напряжении. [12]
С параметром т связаны процессы накопления и рекомбинации заряда в базе, определяющие механизм действия транзистора. В процессе работы транзистора под действием тока в базе накапливается заряд. Если базовый ток прекращается, то заряд, накопленный в базе, будет убывать благодаря рекомбинации зарядов по экспоненциальному закону. Время, в течение которого число неосновных носителей в базе уменьшается в е раз ( где е - основание натурального логарифма), обозначается постоянной времени тр. [13]
Наличие спектра времен релаксации является следствием неоднородности условий рекомбинации зарядов, при этом максимумы высвечивания обычно бывают уширены. [15]
Страницы: 1 2 3 4