Рекомбинация - заряд
Cтраница 4
Направления токов / э и / к показаны на рис. 2.11. В (2.2.1) и (2.2.2) пренебрега-ется разницей между эмиттерным и коллекторным токами в результате рекомбинации заряда в базе. Тем самым допускается, что все электроны, инжектированные в базу, достигают коллектора. Хотя число потерянных носителей пренебрежимо мало по сравнению с общим числом электронов, проходящих от эмиттера к коллектору, все же требуются дырки для рекомбинации с этими электронами, и по этой причине дырочный ток рекомбинации может составлять значительную часть всего базового тока. [46]
 |
Зависимость пускового сеточного тока от тех же геометрических факторов, что и на 3 - 52, б. [47] |
Геометрические факторы, приводящие к росту времени формирования, связаны одновременно и с возрастанием пускового значения сеточного тока / с п, так как в большей мере сказывается рекомбинация зарядов на пути их перемещения в анодно-сеточн-ую область. [48]
 |
Эквивалентная схема. [49] |
Поэтому при отрицательном перепаде входного импульса и прекращении ( или изменении полярности) тока базы ( момент 2) вначале изменения коллекторного напряжения не происходит, пока не закончится рекомбинация зарядов вблизи коллекторного перехода. [50]
В общем, существует несколько причин, которые могут приводить к замедлению процесса накопления стабилизированных радикалов со временем и установлению стационарного состояния: 1) рекомбинация радикалов; 2) захват радикалами электронов [154, 185] и другие процессы передачи и рекомбинации зарядов; 3) передача энергии возбуждения от матрицы, приводящая к диссоциации радикалов. [51]
 |
Схема электрических явле - двойного слоя ( до разделения ний при разделении поверхностей поверхностей. / г, /, - контакта двух тел. - r - g. - с. [52] |
После разделения поверхностей контакта заряды, вследствие-увеличения напряженности электростатического поля в зазоре, стремятся к рекомбинации. Рекомбинация зарядов вызывается как ионными процессами в разрядном промежутке, так и электропроводностью поверхностей. У веществ со сравнительно низким поверхностным сопротивлением или в процессах с малыми скоростями разделения контактов рекомбинация зарядов происходит главным образом через омическое сопротивление поверхностей. [53]
Равенство потоков устанавливается за счет электрич. Рекомбинация зарядов в этом случае осуществляется за счет перетекания зарядов по стенке камеры. Другими словами, электронный и ионный токи замыкаются через проводящую камеру. [54]
 |
Ионосфера в летний день ( максимум пятен. [55] |
В верхней атмосфере существуют ионизированные слои, которые содержат большое число свободных электронов и положительных ионов. Ввиду небольшой плотности воздуха рекомбинация зарядов происходит очень медленно, так что устанавливается равновесие с высоким значением ионизации. В наиболее высоком слое ионизация исчезает настолько медленно, что в течение всей ночи существует остаточная ионизация. [56]
Блуждание экситона может завершиться рекомбинацией зарядов, его составляющих, и если так будет заканчиваться существование подавляющего большинства экситонов, то поглощение света будет фотоэлектрически неактивным. Но возможно также, что под действием теплового движения электрон экситонного состояния переходит в зону проводимости, окончательно отрываясь от дырки. [57]
При давлениях до 100 Па затрачиваемая на ионизацию энергия передается преимущественно стенкам в процессе рекомбинации на них электронов и ионов. При более высоких давлениях газа имеет место рекомбинация зарядов преимущественно в объеме. [58]
Обнаружено заметное и, по нашему мнению, очень интересное влияние добавок доноров и акцепторов электронов на процесс рекомбинации, а также найдена зависимость кинетики гибели зарядов и химических изменений облученного каучука от скорости размораживания матрицы. Любопытно, что в присутствии добавки хлоранила рекомбинация зарядов замедляется и кривая отжига располагается выше кривой для каучука без этой добавки. Присутствие фенил-р-наф-тиламина оказывает слабо выраженное противоположное действие. [59]
На практике для изготавливаемых в настоящее время плоскостных триодов влияние первых двух факторов по сравнению с последним диффузионным может быть сделано пренебрежимо малым. Так, например, для уменьшения времени рекомбинации зарядов в насыщенном триоде последний ставят в режим неглубокого граничного насыщения или вовсе избегают режима насыщения с помощью включения ограничивающих диодов. [60]
Страницы: 1 2 3 4