Ударная рекомбинация

Cтраница 1

Ударная рекомбинация характеризуется передачей энергии, высвобождающейся при рекомбинации другому носителю, который рассеивает ее впоследствии при взаимодействии с колебаниями решетки. Ударная рекомбинация представляет собой процесс, обратный процессу ударной ионизации. Согласно [1791] этот механизм рекомбинации может играть существенную роль в Ge, причем сечения захвата в этом случае должны быть пропорциональными концентрации носителей тока. Найденная в [1748] независимость сечения захвата от концентрации показывает, что, по крайней мере, до: 1017 см-3 ударная рекомбинация в Ge не является доминирующей. [1]

Процесс ударной рекомбинации предполагает участие трех носителей заряда: рекомбинирующую пару электрон - дырка и еще один электрон или дырку, которым передается энергия, выделяющаяся при рекомбинации. [2]

Возможные механизмы ударной ионизации. а-переходы электрона, теряющего энергию. б - ионизация основных и примесных центров решетки. [3]

Механизмы ударной рекомбинации весьма разнообразны. В принципе любому рекомбинационному процессу, сопровождающемуся испусканием фотонов, можно сопоставить процесс Оже, при котором энергия высвобождается и передается электрону или дырке. [4]

В результате ударной рекомбинации высоко в зоне проводимости появляются электроны, а в глубине валентной зоны - дырки. Основная часть таких горячих носителей быстро термализуется, электроны опускаются на дно зоны проводимости, а дырки поднимаются к потолку валентной зоны. Однако существует конечная вероятность непосредственной рекомбинации горячих носителей с термализованными носителями противоположного знака: горячий электрон совершает переход на состояние вблизи. Оно возникает в результате рекомбинации электронов с дырками, заброшенными в отщепленную подзону валентной зоны. [5]

Значения коэффициентов ударной рекомбинации Сп и Ср, приводимые различными исследователями, сильно различаются. [6]

В принципе возможна ударная рекомбинация с участием двух дырок и одного электройа. Однако учет второго типа рекомбинации не дает качественно новых результатов. [7]

Зависимость времени жизни от концентрации носителей при ударной рекомбинации для различных уровней инжекции. [8]

Время жизни при ударной рекомбинации соответственно будет обратно пропорционально вероятности рекомбинации. [9]

В чем состоит сущность межзонной ударной рекомбинации. [10]

Схема межзонной рекомбинации. Первый электрон рекомбииирует с дыркой и совершает переход из состояния 1 в состояние 1. Энергия и импульс передаются второму электрону, совершающему переход 2 - У. [11]

В теории Битти и Смита [313] ударная рекомбинация рассчитана для случая, когда в процессе Оже участвует зона легких дырок. Энергия рекомбинации передается дырке, которая совершает переход между подзонами двукратно вырожденной зоны. При расчетах вводится поправка на непараболичность зон. [12]

Найдем теперь время жизни по отношению к ударной рекомбинации и определим характер кривых релаксации для крайних случаев высокого и низкого уровня возбуждения. [13]

Только при выполнении условия me mv в ударной рекомбинации могут участвовать состояния на дне зоны проводимости и у потолка валентной зоны. [14]

Излучательная характеристика. [15]

Страницы: 1 2 3 4