Ударная рекомбинация

Cтраница 2

Кроме того, с ростом тока увеличивается вероятность ударной рекомбинации, что также уменьшает излучательную способность. Совместное действие рассмотренных механизмов влияния прямого тока на силу излучения приводит к тому, что излучательная характеристика имеет максимум при некотором определенном токе. Максимальная сила излучения зависит от площади и геометрии излучающего р - n перехода и от размеров электрических контактов. [16]

Результаты исследования кинетики рекомбинации атомов Н и D на Ag. [17]

При низких температурах преобладает адсорбция, при высоких - ударная рекомбинация. В последнем случае значения &0 весьма близки к числу ударов о поверхность. [18]

С повышением температуры кинетическая энергия свободных носителей и вероятность ударной рекомбинации возрастает. Это также сопровождается уменьшением квантового выхода люминесценции. [19]

На рис. 113, а и б изображены два возможных варианта ударной рекомбинации с передачей энергии электрону и дырке соответственно. [20]

Это все же не мешает выяснению основных особенностей процесса, следующих из специфики кинетических уравнений для ударной рекомбинации. [21]

В полупроводниках со сложной зонной структурой и различными массами носителей для определения уровня, с которого может идти межзонная ударная рекомбинация, необходимо рассматривать законы сохранения энергии и импульса применительно к конкретной структуре зон. Для германия и кремния качественно этот вопрос проанализирован в работе [312] и показано, почему рекомбинация Оже в кремнии на несколько порядков более интенсивна, чем в германии. [22]

Зависимость подвижности ( а и коэффициентов диффузии электронов и дырок ( б от концентрации носителей заряда в кремнии при 300 К. [23]

При больших концентрациях электронов и ( или) дырок в полупроводниках вступает в действие еще один механизм рекомбинации - межзонная ударная рекомбинация ( Оже-рекомбинация), при этом происходит столкновение одновременно двух свободных электронов и одной дырки или двух дырок и одного свободного электрона, в результате чего имеет место рекомбинация электрона и дырки и переход третьего носителя на более высокий уровень энергии в соответствующей зоне. Этот третий носитель в результате столкновений с решеткой передает ей избыточную энергию и приходит в равновесное состояние с решеткой. [24]

Сравнение этих выражений с аналогичными для излучательной рекомбинации (6.24) и (6.25) показывает их существенное отличие: времена жизни при ударной рекомбинации в легированных полупроводниках обратно пропорциональны квадрату равновесной концентрации носителей заряда, в то время как при излучательной рекомбинации они пропорциональны первой степени концентрации. [25]

Теоретический расчет и данные эксперимента показывают, что в узкозонных полупроводниках межзонная излучательная рекомбинация и рекомбинация Оже почти одинаково существенны при высоких температурах, однако ударная рекомбинация Оже дает преобладающий вклад при дальнейшем повышении температуры. Излучательная и ударная рекомбинации возможны и при рекомбинации через примесные уровни. [26]

Ударная рекомбинация характеризуется передачей энергии, высвобождающейся при рекомбинации другому носителю, который рассеивает ее впоследствии при взаимодействии с колебаниями решетки. Ударная рекомбинация представляет собой процесс, обратный процессу ударной ионизации. Согласно [1791] этот механизм рекомбинации может играть существенную роль в Ge, причем сечения захвата в этом случае должны быть пропорциональными концентрации носителей тока. Найденная в [1748] независимость сечения захвата от концентрации показывает, что, по крайней мере, до: 1017 см-3 ударная рекомбинация в Ge не является доминирующей. [27]

Зависимость времени жизни.| Зависимость времени жизни носителей заряда от их концентрации в гипотетическом полупроводнике с параметрами германия, но с прямыми межзонными переходами. [28]

Излучательная межзонная рекомбинация ( кривая /) может быть значительна для общего времени жизни лишь при концентрациях носителей, превышающих 1018 см-3. Ударная рекомбинация на глубоких примесях в германии ( кривая 4), по-видимому, вообще является маловероятным процессом. [29]

Схема нзлучательной и Оже-рекомбинации в трехуровневой модели собственного полупроводника ( а н в модели параболических зон ( б. [30]

Страницы: 1 2 3 4