Cтраница 3
Таким образом, / гры квадратичной рекомбинации избыточная концентрация уменьшается по гиперболическому закону. Если определить ( /), то получим со. Однако это не означает, что в случае квадратичной рекомбинации неравновесное состояние существует сколь угодно долгое время. Гиперболический закон изменения 8л переходит в экспоненциальный через некоторое время, по истечении которого условие 6л ( р0, п0) нарушается. [31]
![]() |
Зависимость тока от напряжения в облучаемом жидком циклогек. [32] |
Авторами установлено, что выход отдельных ионных пар равен 0 09; это значение очень хорошо совпадает с теоретическими предсказаниями Маги. Подобные результаты получены Фриманом [25, 26], который показал, что для серии парафиновых углеводородов даже при изменении их вязкости в 540 раз выход ионных пар существенно не меняется. На основании этого сделан вывод, что большинство образующихся в начале ионных пар претерпевает за время порядка Ю 10 с квадратичную рекомбинацию. [33]
Очевидно, для различных конкретных механизмов генерации и рекомбинации кривые нарастания и спада избыточной концентрации будут иметь различный вид и, исследуя эти кривые, можно определять мгновенное время жизни. Изучая его зависимость от времени, температуры и концентрации носителей заряда, можно найти закон рекомбинации, на основании которого делаются выводы о возможном механизме рекомбинации в данном полупроводнике. Например, линейная рекомбинация может свидетельствовать об участии в рекомбинации рекомбинационных центров и невысоком уровне возбуждения. Квадратичная рекомбинация свойственна прямой межзонной рекомбинации, которая часто бывает излучательной. Ударная ионизация Оже, требующая участия трех свободных носителей заряда, должна следовать кубическому закону, и времена жизни легированных полупроводниках при ударной рекомбинации будут обратно пропорциональны квадрату концентрации основных носителей заряда, тогда как при прямой излучательной рекомбинации они. [34]
![]() |
Временная зависимость. P ПОСЛ6 ВКЛЮЧ6НИЯ ОСВеЩбНИЯ. [35] |
Очевидно, для различных конкретных механизмов генерации и рекомбинации кривые нарастания и спада избыточной концентрации будут иметь различный вид и, исследуя эти кривые, можно определять мгновенное время жизни. Изучая его зависимость от времени, температуры и концентрации носителей заряда, можно найти закон рекомбинации, на основании которого делаются выводы о возможном механизме рекомбинации в данном полупроводнике. Например, линейная рекомбинация может свидетельствовать об участии в рекомбинации рекомбинационных центров и невысоком уровне возбуждения. Квадратичная рекомбинация свойственна прямой межзонной рекомбинации, которая часто бывает излучательной. [36]
Очевидно, для различных конкретных механизмов генерации и рекомбинации кривые нарастания и спада избыточной концентрации будут иметь различный вид и, исследуя эти кривые, можно определять мгновенное время жизни. Изучая его зависимость от времени, температуры и концентрации носителей заряда, можно найти закон рекомбинации, на основании которого делаются выводы о возможном механизме рекомбинации в данном полупроводнике. Например, линейная рекомбинация может свидетельствовать об участии в рекомбинации рекомбинационных центров и невысоком уровне возбуждения. Квадратичная рекомбинация свойственна прямой межзонной рекомбинации, которая часто бывает излучательной. Ударная ионизация Оже, требующая участия трех свободных носителей заряда, должна следовать кубическому закону, и времена жизни легированных полупроводниках при ударной рекомбинации будут обратно пропорциональны квадрату концентрации основных носителей заряда, тогда как при прямой излучательной рекомбинации они. [37]