Релаксация - эффект
Cтраница 2
На рис. 4 показана зависимость времени релаксации эффекта поля от амплитуды импульса. [16]
В статье [19] одного из авторов проведен расчет, в основу которого положена модель явлений, вытекающая из описанных опытов. Согласно расчету, должна существовать область линейной зависимости времени релаксации эффекта поля от индуцированного заряда. Условие существования такой области - большая концентрация поверхностных состояний. В кремнии, протравленном в смеси азотной и плавиковой кислот и находящемся в атмосфере кислорода, по оценкам разных авторов [1, 3, 5] концентрация поверхностных состояний действительно велика порядка 1012 - 1013 см-г. [17]
 |
Температурная зависимость коэффициента т 2 по обе стороны от точки перехода из нематической в 5д - фазу. [18] |
Методом Гевиллера ( раздел 3.2.4) с использованием ориентации НЖК стенками капилляра, а также электрическим полем в [21] измерены все три коэффициента rji в широком интервале температур. Кроме того там же измерен коэффициент YI по времени релаксации эффекта Фредерик-са. [19]
Ферми проходит через уровень ловушки. Анализ этого уравнения и позволяет установить / количественные соотношения, описывающие процесс релаксации эффекта поля. Предположение о единственности действующего центра захвата дырок на поверхности является существенным ограничением теории. Однако в случае большой концентрации поверхностных состояний с одним уровнем энергии явления, вероятно, должны происходить в соответствии с этим предположением. В Приложении 1 показано, какие выводы теории остаются верными в случае нескольких поверхностных уровней. [20]
В 1899 г. Абрахам и Лемуан [23-25] попытались с помощью остроумной экспериментальной установки измерить время релаксации эффекта Керра, но выяснили, что полученный ими результат отражает лишь электрические свойства схемы, а инерционность самого эффекта должна быть малой по сравнению с инерционностью схемы. [21]
Равенство ( 8а) соответствует формулам, которыми пользуется Руппрехт [8] для объяснения своих результатов. Поэтому при интерпретации эспериментальных данных о температурной зависимости времени релаксации эффекта поля следует дополнительно оценивать соотношение между избыточным индуцированным зарядом и числом основных носителей на ловушках. [22]
Генерированные светом электроны, по-видимому, быстро захватываются поверхностными состояниями. Увеличение числа дырок вблизи поверхности и одновременное увеличение заполнения ловушек электронами приводит к ускорению процессов релаксации эффекта поля. Под действием внешнего поля электроны, захваченные поверхностными состояниями, при подсветке могут выбрасываться с поверхностных состояний в зону проводимости. На это указывает изменение знака эффективной подвижности при сильной подсветке. Заметим, что даже очень слабая подсветка, соответствующая относительному изменению проводимости Доф. Выводы работ, в которых наблюдалась зависимость скорости поверхностной рекомбинации от уровня инжекции [1, 15-18], согласуются с таким заключением. [23]
Страницы: 1 2