Низкочастотное значение
Cтраница 1
Низкочастотные значения fe - параметров транзистора как четырехполюсника в схеме с ОБ и сопротивление го обычно приводятся в справочниках. Для анализа электронных схем на транзисторах в диапазоне частот и в разных режимах наиболее широко применяется Т - образная эквивалентная схема, параметры которой соответствуют физическим процессам в транзисторной структуре. [1]
Низкочастотные значения Н -, у - и г-параметров связаны между собой нижеприведенными формулами и формулами табл. 1.3 и I. [2]
 |
Частотные зависимости активного сопротивления ( а, диффузионной емкости ( б и постоянной времени ( в диодов с тонкой и толстой базами. [3] |
Низкочастотное значение диффузионной, емкости диода с тонкой базой значительно меньше, чем диода с толстой базой [ ср. [4]
Низкочастотное значение коэффициента усиления по току а для диффузионных триодов лежит в пределах 0 95 - 0 99 и достигает значения 0 998 только для самых хороших образцов. Коэффициент передачи зависит от времени жизни неосновных носителей заряда в базовой области, скорости рекомбинации на поверхности, непосредственно окружающей эмиттер, и геометрии прибора. Высокое значение а, полученное в предположении низкого времени жизни в базовой области и высокой поверхностной рекомбинации, показывает, что наблюдаемый коэффициент усиления по току вероятнее всего ограничен эффективностью эмиттера. Что касается эффективности эмиттера, то в пределах точности, с которой известны концентрация примесей в рекристалли-зованной эмиттерной и базовой областях, а также толщины этих двух областей, расчетное значение эффективности совпадает с экспериментальным. [5]
Низкочастотное значение диффузионной емкости диода с тонкой базой значительно меньше, чем диода с толстой базой [ ср. [6]
 |
Частотные зависимости активного сопротивления ( а, диффузионной емкости ( б и постоянной времени ( в диодов с тонкой и толстой базами. [7] |
Низкочастотное значение диффу-зионной емкости диода с тонкой базой значительно меньше, чем диода с толстой базой [ ср. [8]
Яо - низкочастотное значение коэффициента переноса ( 9 - 57), а / п - граничная частота коэффициента переноса, яа которой его модуль уменьшается в У 2 раз по сравнению с низкочастотным значением. [9]
 |
К определению частотной зависимости параметров. [10] |
В справочниках приводятся низкочастотные значения параметров транзисторов. При отсутствии справочных данных низкочастотные параметры могут быть определены экспериментальным путем. Измерения обычно проводятся при частоте 400 - 1000 гц. [11]
В то же время низкочастотные значения ги-перполяризуемости равны - 51 для раствора в метаноле и-34 для раствора в пиридине, т.е. увеличение пшерполяризуемости связано практически целиком с ее дисперсией. [12]
В области малых влажностей большие низкочастотные значения обусловлены пленочным режимом поляризации системы. Как и для грубых дисперсий, время релаксации контролируется пленочной проводимостью. [13]
Для диода с тонкой базой низкочастотное значение сопротивления оказывается тем же [ ср. [14]
НЛБ уменьшается в два раза по сравнению с низкочастотным значением. [15]
Страницы: 1 2 3 4