Низкочастотное значение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
А по-моему, искренность - просто недостаток самообладания. Законы Мерфи (еще...)

Низкочастотное значение

Cтраница 4


Основной характеристикой высокочастотных свойств полупроводникового триода является граничная частота усиления по току fa, которая определяется как частота, при которой модуль коэффициента передачи тока эмиттера уменьшается на 3 дб ( в У 2-раз) по сравнению с низкочастотным значением.  [46]

Численные значения функции Фз ( ав) приведены в табл. 2.5. При проектировании УПЧ иногда возникает необходимость перерасчета параметров транзисторов с одной частоты fi, asi filfs на другую частоту / 2, n 2f2 / fs, причем параметры на частоте fi и их низкочастотные значения известны.  [47]

Учитывая (5.81), можно сделать вывод, что коэффициент передачи тока эмиттера в данном случае также является комплексной величиной. Низкочастотные значения а, как легко показать, больше, чем для бездрейфового триода при той же толщине области базы.  [48]

Если транзистор тянутый, то z & является комплексной величиной. Изготовитель транзисторов обычно указывает только низкочастотное значение г б, поведение же на высоких частотах определяется экспериментально.  [49]

Высказывается предположение, что шумы типа 1 / f зависят от плотности тока. Показано, что при увеличении плотности тока низкочастотное значение коэффициента шума возрастает.  [50]

51 Температурная зависимость скорости звука для сшитого полидиметил-силоксана ( G 7 105 Па. Угол рассеяния равен 160. На рисунке показан возможный диапазон экспериментальных ошибок ( м / с. [51]

Иногда пытаются провести аналогию наблюдаемой закономерности с зависимостью низкочастотного значения температуры стеклования от плотности сетки поперечных связей [37], поэтому измерения Vs для сетчатых полимеров были проведены и в низкотемпературной области, что позволило выяснить, влияет ли густота сетки на область ос-релаксации. Для выяснения влияния поперечных связей на низкочастотный переход сделана серия измерений методом дифференциальной сканирующей калориметрии. Наблюдаемое незначительное смещение Тд, составляющее 4 для образца с наиболее плотной сеткой поперечных связей, вряд ли может быть связано со спецификой поведения аморфной фазы, поскольку при температурах ниже 220 К полидиметилсилоксан становится высококристаллическим. Эти предварительные результаты более детально будут обсуждаться в последующих разделах настоящей статьи.  [52]

Частотный параметр транзистора 1т з, используемый в этой формуле, называют предельной частотой коэффициента передачи в схеме ОЭ. На этой частоте ( см. рис. 4.31) модуль коэффициента передачи уменьшается в У-2 раз ( на 3 дБ) по сравнению с его низкочастотным значением.  [53]

Для низкочастотных ( диффузионных) триодов / ГД, для высокочастотных ( дрейфовых) frfz - Для мощных высокочастотных триодов в качестве предельной применяется частота fp, на которой выходная мощность уменьшается в заданное число раз по сравнению с низкочастотным значением.  [54]

При увеличении частоты коэффициент передачи триода а, а следовательно, и коэффициент усиления по току во всех схемах включения триода падают сначала медленно, а затем с большой быстротой. При этом ухудшаются свойства триода как усилителя и генератора. Ухудшение усилительных свойств триода с ростом частоты принято характеризовать той граничной частотой, при которой коэффициент усиления по току в данной схеме уменьшается на 3 дб по сравнению с его низкочастотным значением.  [55]

56 Влияние электропроводности поровой жидкости Хр на электропроводность диафрагмы х ( концентрация КС1 менялась от 5 - 10 - 5 до 2 - 10 - 3 N. Размер зерен 9 л. Т 20. [56]

При частотах выше 10 кгц концентрация ионов тория гораздо меньше влияет на е диафрагмы, которая приближается к своему максвелл-вагнеровскому значению. Однако даже при 200 кгц е постепенно снижается от 40 - 35 при нулевой концентрации тория до 15 - 20 при максимальном его содержании. По глубокому минимуму е в области ИЭТ можно заключить, что в основном аномально высокая диэлектрическая проницаемость кварцевых диафрагм связана с диффузной частью двойного электрического слоя. Отметим, что и в изоэлектрической точке низкочастотные значения е в 3 раза превышают расчетные, получаемые по теории смесей, что, возможно, связано с влиянием поляризации штерновско-го слоя. Последнее предположение нуждается в проверке на материалах с более развитым плотным слоем.  [57]



Страницы:      1    2    3    4