Репрограммируемый

Cтраница 1

Репрограммируемые ПЗУ являются наиболее универсальными устройствами памяти. Принцип действия такой ячейки памяти основан на обратимом изменении порогового напряжения МНОП транзистора. В то же время другие МНОП транзисторы, у которых t / 3Hn0p t / АШ будут функционировать как обычные МДП транзисторы. [1]

Репрограммируемые ПЗУ являются наиболее универсальными устройствами памяти. Принцип действия такой ячейки памяти основан на обратимом изменении порогового напряжения МНОП транзистора. ЗИпор 6ГДШ, будут функционировать как обычные МДП транзисторы. [2]

Репрограммируемые БИС / СБИС с энергонезависимой памятью конфигурации ( EPROM, EEPROM, Flash) в рабочих режимах также не используют файлы конфигурирования. Взломщик, как и в предыдущем случае, имеет в своем распоряжении сам кристалл, в котором скрыта информация о проекте. Исследовать сам кристалл проще, чем кристалл с перемычками, но также очень нелегко. Если предположить, что расположение транзисторов с плавающими затворами, состояния которых программируются, известно или может быть визуально определено, то задача раскрытия проекта сводится к исследованию состояний каждого из многих тысяч или даже миллионов транзисторов. [3]

Программирование репрограммируемых ( перепрограммируемых) ПЗУ ( РПЗУ), используемых в ПЭВМ Спектрум ( а также и в других компьютерах), можно производить с помощью программатора, который описывается ниже. [4]

В репрограммируемых ПЛИС с памятью конфигурации типа EEPROM ( Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) стирание старых данных осуществляется электрическими сигналами. Управление процессами в транзисторе производится с помощью двух затворов - обычного и плавающего. При определенных сочетаниях программирующих напряжений на внешних выводах транзистора ( плавающий затвор внешнего вывода не имеет) создаются режимы как заряда плавающих затворов, так и их разряда. Электрическое стирание содержимого памяти не требует извлечения микросхем из устройства, в котором они используются. Элементы памяти с электрическим стиранием вначале заметно проигрывали элементам с ультрафиолетовым стиранием по площади, занимаемой на кристалле, но быстро совершенствуются и становятся преобладающими для класса ПЛИС со стиранием конфигурации в специальных режимах. [5]

К репрограммируемым обычно относят микросхемы ПЗУ с электрическим программированием и ультрафиолетовым стиранием и ПЗУ с электрическим программированием и электрическим стиранием. [6]

Еще более удобны репрограммируемые ПЗУ, допускающие многократную смену записанной информации. Такие ПЗУ, реализованные на специальных МОП-структурах, допускают запись электрическим способом и очистку накопителя, например, под воздействием ультрафиолетового или рентгеновского излучения. [7]

На каких физических принципах основаны репрограммируемые ИС. [8]

Перспективным является применение ЭППЗУ и, в частности, репрограммируемых ПЗУ ( РПЗУ) в тех областях, где требуется дистанционное репрограммирование МП-систем, установленных в недоступных или опасных для человека местах, например в космосе. Сигналы репрограммирования могут при этом передаваться на необходимые расстояния радиотехническими средствами передачи информации. [9]

Последний класс ПЛИС по второму признаку принятой классификации - оперативно репрограммируемые. В противоположность предыдущим вариантам для программирования не нужны ни специальные программаторы, ни специальные режимы с повышенными напряжениями и длительностями воздействий на элементы памяти. [10]

Авторами предлагается энергонезависимый блок памяти ( ЭНБП / на основе репрограммируемых ПЗУ с электрической перезаписью и. [11]

Постоянные запоминающие устройства ( ПЗУ) выполняют на биполярных или униполярных транзисторах и подразделяют на масочные, программируемые ППЗУ и перепрограммируемые ( репрограммируемые) РППЗУ. [12]

Условное изображение ПЛМ. [13]

В ПЛМ с электрическим программированием необходимая информация записывается специальным оборудованием, которое обеспечивает выжигание перемычки или установление соединения путем подачи токового импульса большой амплитуды ( 20 - 200 мА) в соответствующую цепь матрицы. Репрограммируемые ПЛМ позволяют многократно перезаписывать информацию. При этом стирание информации осуществляется, например, ультрафиолетовым облучением, а запись - электрическим током на специальном оборудовании. [14]

В таких случаях применяют перепрограммируемые ( репрограммируемые) ПЗУ, обозначаемые как РППЗУ. [15]

Страницы: 1 2